[发明专利]半导体器件制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成图案化的介电层；在所述图案化的介电层上形成导热层；所述导热层的图案与所述介电层的图案一致；翻转形成的衬底‑介电层‑导热层结构；去除所述衬底。本发明所提出的半导体器件制造方法，能够有效减小的晶圆弯曲，避免由于应变而形成裂缝，并且降低具有导热材料的大尺寸晶圆结构的制造难度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及半导体器件制造方法。

背景技术

作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体器件，如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结场效应晶体管(HFET)等已经得到了应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。

现有的三族氮化物HEMT器件在制造过程中,需要使用高导热性的材料进行散热，但由于导热材料和氮化物之间存在晶格失配和热失配，制造较为困难，并且随着晶圆尺寸的增大，会形成巨大的晶圆弯曲，增加后续工艺的难度。

发明内容

本发明提出一种半导体器件制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成图案化的介电层；

在所述图案化的介电层上形成导热层；所述导热层的图案与所述介电层的图案一致；

翻转形成的衬底-介电层-导热层结构；

去除所述衬底。

在一个实施例中，在所述衬底上形成图案化的介电层之前，在所述衬底上形成形核层，在所述形核层上形成背势垒层。

在一个实施例中，去除所述衬底后，依次去除所述形核层和部分背势垒层。

在一个实施例中，依次在剩余后的背势垒层上形成沟道层、势垒层和帽层。

在一个实施例中，在所述帽层上形成激活层，所述激活层包括栅极、源极和漏极。

在一个实施例中，所述导热层为金刚石、氮化硼和立方砷化硼中的任意一种。

在一个实施例中，形成所述图案化介电层的方法包括：

在所述衬底上形成介电层；

在所述介电层上涂覆光刻层，并按预设图案对所述光刻胶进行曝光和显影；

对介电层进行刻蚀，以形成图案化的介电层。

在一个实施例中，形成所述导热层的方法包括：

在所述图案化的介电层上形成种层；

将所述种层生长形成导热层。

在一个实施例中，所述导热层的导热率大于500W/mK。

在一个实施例中，在所述图案化的介电层上形成导热层之后，在所述导热层上粘合载体。

本发明所提出的半导体器件制造方法，能够有效减小的晶圆弯曲，避免由于应变而形成裂缝，并且降低具有导热材料的大尺寸晶圆结构的制造难度。

附图说明

图1为一个实施例中的半导体器件的结构图；

图2为一个实施例中的氮面极性晶圆堆叠的结构图；

图3为根据一个实施例的导热层结构图；

图4为一个实施例中的金属面极性晶圆堆叠的结构图；

图5为一个实施例中的金属面极性晶圆堆叠的结构图；