[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201811281410.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461656A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 衬底 半导体器件制造 导热层 图案化 图案 导热材料 晶圆结构 翻转 减小 晶圆 去除 裂缝 制造 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成图案化的介电层；
在所述图案化的介电层上形成导热层；所述导热层的图案与所述介电层的图案一致；
翻转形成的衬底-介电层-导热层结构；
去除所述衬底。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成图案化的介电层之前，在所述衬底上形成形核层，在所述形核层上形成背势垒层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，去除所述衬底后，依次去除所述形核层和部分背势垒层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，依次在剩余后的背势垒层上形成沟道层、势垒层和帽层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述帽层上形成激活层，所述激活层包括栅极、源极和漏极。
6.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述导热层为金刚石、氮化硼和立方砷化硼中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述图案化介电层的方法包括：
在所述衬底上形成介电层；
在所述介电层上涂覆光刻层，并按预设图案对所述光刻胶进行曝光和显影；
对介电层进行刻蚀，以形成图案化的介电层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述导热层的方法包括：
在所述图案化的介电层上形成种层；
将所述种层生长形成导热层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述导热层的导热率大于500W/mK。
10.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述图案化的介电层上形成导热层之后，在所述导热层上粘合载体。
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