[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制备方法及生产线

说明书

本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤：A制绒；B在硅片正面镀掩膜；C对硅片背面进行碱抛光；D清洗；E去除步骤B制备的掩膜；F扩散制备P‑N结；G将硅片的除正面外的其它部位上的P‑N结去除，并对硅片背面进行酸抛光；H制备硅片背面的钝化膜。本硅片背面抛光效果较好且洁净度较好，提升光电转换效率。

技术领域

本发明属于晶硅太阳能电池制造领域，特别涉及一种晶硅太阳能电池的制备方法。

背景技术

在晶硅太阳能电池制造工艺中，传统的单晶PERC电池(钝化发射极背面接触电池)背抛光采用链式硝酸进行酸抛，抛光后反射率为30%左右。然而，现有的背面酸抛技术具有如下缺点：反射率不够高，背表面较粗糙，入射光利用率不高，且粗糙的背表面影响背面钝化效果。

发明内容

针对上述技术问题，本发明旨在提供一种晶硅太阳能电池的制备方法，硅片背面抛光效果较好且洁净度较好，提升光电转换效率。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种晶硅太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤：A制绒；B在硅片正面镀掩膜；C对硅片背面进行碱抛光；D清洗；E去除步骤B制备的掩膜；F扩散制备P-N结；G将硅片的除正面外的其它部位上的P-N结去除，并对硅片背面进行酸抛光；H制备硅片背面的钝化膜。

进一步地，步骤B中的掩膜为氮化硅膜或氧化铝膜。

进一步地，步骤C中采用氢氧化钠对硅片背面进行碱抛光。

进一步地，步骤D中，硅片先通过20~25℃ 氢氟酸清洗，再通过30~80℃ 氨水、双氧水、水清洗，之后通过65~85℃ 盐酸、双氧水、水清洗。

更进一步地，步骤D中，使硅片依次通过盛有氢氟酸的第一清洗槽，盛有氨水、双氧水、水的第二清洗槽及盛有盐酸、双氧水、水的第三清洗槽。

进一步地，步骤E中采用氢氟酸去除所述掩膜。

进一步地，步骤G中，通过刻蚀工艺，采用硝酸溶液去除边缘P-N结及背面抛光。

进一步地，所述制备方法还包括步骤G之后的如下步骤：在背面钝化膜上层叠氮化硅覆盖膜；硅片正面制备氮化硅减反射及钝化膜；将硅片背面激光开槽，并丝网印刷制备正负电极。

进一步地，硅片依次通过制绒设备、PECVD镀膜设备后进入碱抛光槽。

本发明还采用如下技术方案：

一种晶硅太阳能电池的生产线，所述生产线采用如上所述的晶硅太阳能电池的制备方法。

本发明采用以上方案，相比现有技术具有如下优点：

本发明的制备方法中，在扩散之前先对硅片进行碱抛光，然后结合扩散之后的酸抛光，改善了硅片背面的抛光效果，使得硅片背表面更加平整，提高入射光反射率，更好利用入射光；也使得背面钝化效果更好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为根据本发明的一种晶硅太阳能电池的制备方法的流程图；

图2为根据本发明的一种晶硅太阳能电池的生产线的示意图；

图3为图2中清洗机的结构示意图。

具体实施方式