[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制备方法及生产线

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：A制绒；B在硅片正面镀掩膜；C对硅片背面进行碱抛光；D清洗；E去除步骤B制备的掩膜；F扩散制备P-N结；G将硅片的除正面外的其它部位上的P-N结去除，并对硅片背面进行酸抛光；H制备硅片背面的钝化膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B中的掩膜为氮化硅膜或氧化铝膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C中采用氢氧化钠对硅片背面进行碱抛光。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤D中，硅片先通过20~25℃ 氢氟酸清洗，再通过30~80℃ 氨水、双氧水、水清洗，之后通过65~85℃ 盐酸、双氧水、水清洗。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤D中，使硅片依次通过盛有氢氟酸的第一清洗槽，盛有氨水、双氧水、水的第二清洗槽及盛有盐酸、双氧水、水的第三清洗槽。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤E中采用氢氟酸去除所述掩膜。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤G中，通过刻蚀工艺，采用硝酸溶液去除边缘P-N结及背面抛光。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括步骤G之后的如下步骤：在背面钝化膜上层叠氮化硅覆盖膜；硅片正面制备氮化硅减反射及钝化膜；将硅片背面激光开槽，并丝网印刷制备正负电极。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，硅片依次通过制绒设备、PECVD镀膜设备后进入碱抛光槽。

10.一种晶硅太阳能电池的生产线，其特征在于，所述生产线采用上述任一项权利要求所述的晶硅太阳能电池的制备方法。