[发明专利]图案描绘方法、光掩模和显示装置用器件的制造方法

说明书

本发明提供图案描绘方法、光掩模和显示装置用器件的制造方法。将具有符合设计的CD精度的图案转印在被转印体上。本发明提供图案描绘方法及其关联技术，通过根据规定的设计图案数据在光掩模基板上进行描绘而形成用于制造显示装置用器件的具有转印用图案的光掩模，其中，该图案描绘方法包含以下工序：束强度校正映射图形成工序，使用在光掩模基板上利用能量束进行描绘的描绘装置，在由于显示装置用器件的制造工序而产生针对设计值的CD错误时，根据预先掌握的包含CD错误的位置和错误量的、CD错误的产生倾向信息，形成用于校正CD错误的束强度校正映射图；以及描绘工序，将设计图案数据与束强度校正映射图一起使用，用描绘装置进行描绘。

技术领域

本发明涉及用于获得光掩模的图案描绘方法，该光掩模用于制造电子设备、特别优选用于制造显示装置(FPD)用器件。

背景技术

专利文献1(以下，称作文献1)中记载了滤色器用光掩模的校正方法。根据该文献1，在如下光掩模的校正方法中，当取得用线宽和坐标所表示的因滤色器的工艺特性而引起的设计值的变化量的、变化区域映射图，并按照初始设计值来对变化量进行校正时，从短尺寸校正区域的变化较大的区域向较小的区域进行校正，其中，在作为校正对象的校正区域与相邻区域的边界部附近处，从所述校正区域向相邻区域分阶段地且随机地分散配置校正值来进行校正。

专利文献1：日本特许第5254068号公报

近年来，在包括液晶显示装置或有机EL显示器在内的显示装置的行业中，非常要求像素的细微化、高集成化，并且，期望更亮且省电，并且希望提高高速显示、广视角这样的显示性能。随着这样的高精细化的要求，在制造显示装置用器件(显示装置或者构成该显示装置部分的器件。以下，也将它们简称作显示装置)时使用的光掩模图案中，图案也明显地倾向于细微化。例如，在液晶显示装置或有机EL显示装置中所使用的TFT(薄膜晶体管)的层、或者在用于形成滤色器的黑色矩阵(BM)或光阻间隙(PS)等的层中，也需要在确保设计准确的CD(Critical Dimension：临界尺寸，以下，也是图案宽度的意思)的同时转印细微图案的方法。

例如，在用于上述显示装置的薄膜晶体管中，期望如下的细微图案：形成在层间绝缘膜上的接触孔的直径为3μm以下(例如，1.5～3μm等)、或者滤色器的BM为宽度8μm以下(例如，3～8μm等)。期望细致地形成这种级别的细微的孔图案、点图案、线图案、空间图案。

并且，在显示装置的制造中，在供光掩模的转印用图案进行转印的被转印体(显示面板基板等)上，除了形成有作为蚀刻掩膜的抗蚀剂膜的情况以外，还存在不少形成有作为器件的一部分的感光性树脂膜作为构造物的情况。在该情况下，由于CD与设计值的偏差(CD错误)不仅是图案宽度的误差，而且还会导致通过图案的转印而形成的立体构造物的高度等形状的误差，所以有可能给最终产品的动作、性能带来影响。从这一点出发也要尽可能减少CD与设计值的偏差。

另外，在与显示装置相比集成度较高、图案的细微化显著进步的半导体装置(LSI)制造用光掩模的领域中，为了获得高分辨率，在曝光装置中应用高数值孔径NA(例如，大于0.2)的光学系统，曝光光的短波长化进一步发展。其结果，在该领域中，KrF、ArF的准分子激光(分别为248nm、193nm的单一波长)被广泛使用。在用于制造光掩模的描绘装置中还采用EB(电子束)描绘装置。

另一方面，在用于制造显示装置的光刻领域中，为了提高分辨率，一般不会应用如上所述的方法。例如，在该领域中使用的曝光装置所具有的光学系统的NA(数值孔径)为0.08～0.2左右。并且，曝光光源也大多使用i线、h线或者g线，主要使用包含这些线的宽波长光源，由此，获得用于照射大面积(例如，主表面的一边为300～2000mm的四边形)的光量，倾向于重视生产效率、成本。

在该状况下，最近在显示装置的制造中，如上所述，图案的细微化要求也变高，因此，在显示装置的制造中，需要在应用基于如上所述的曝光装置的规格下的曝光条件的同时，即使面积较大也按照设计来转印图案的技术。