[发明专利]一种存储芯片的测试方法以及测试装置

说明书

本申请公开了一种存储芯片的测试方法以及测试装置，该存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取待测存储芯片的设定电特征参数；判断设定电特征参数是否满足预设条件；若是，则确定待测存储芯片满足测试要求。通过上述方式，能够快速高效的测出存在微破损的存储芯片，节约测试时间，减少生产成本，且提高后续需应用存储芯片的电子产品的良率。

技术领域

本申请涉及芯片检测技术领域，特别是涉及一种存储芯片的测试方法以及测试装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，芯片的厚度越来越薄，尺寸也越来越小，所以，芯片因为封装或其他外力造成芯片的轻微龟裂或坏损的几率也越来越高。传统的测试方法还可以通过测试芯片周围的位电性和完整性来判断芯片是否发生损坏，但这种方法只能应用于发生重大裂损的芯片，不能用于测试轻微的龟裂。

综上，对于轻微破损的芯片，现有测试方法不能测试出来或者需要长时间的测试才能检测出来，测试成本高，若这些轻微破损的芯片在测试过程中未被检测出来，且应用在后续的电子设备产品中，会导致这些采用了轻微破损芯片的电子设备产品出现各种问题。

发明内容

本申请采用的一个技术方案是：提供一种存储芯片的测试方法，该存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取待测存储芯片的设定电特征参数；判断设定电特征参数是否满足预设条件；若是，则确定待测存储芯片满足测试要求。

本申请采用的另一个技术方案是：提供一种存储芯片的测试装置，该存储芯片的测试装置包括：传感组件，用于在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，采集待测存储芯片的设定电特征参数；存储器，用于存储计算机程序；处理器，用于实现以下测试方法：在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取待测存储芯片的设定电特征参数；判断设定电特征参数是否满足预设条件；若是，则确定待测存储芯片满足测试要求。

本申请提供的存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取待测存储芯片的设定电特征参数；判断设定电特征参数是否满足预设条件；若是，则确定待测存储芯片满足测试要求。通过上述方式，对深度睡眠状态下的存储芯片的电特征进行测试，以判断其是否合格，能够快速高效的测出存在微破损的存储芯片，节约测试时间，减少生产成本，且提高后续需应用存储芯片的电子产品的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是DRAM芯片内部电路示意图；

图2是本申请提供的存储芯片的测试方法一实施例的流程示意图；

图3是本申请提供的存储芯片的测试方法另一实施例的流程示意图；

图4是一种物理地址段的划分方式示意图；

图5是另一种物理地址段的划分方式示意图；

图6是本申请提供的存储芯片的测试方法再一实施例的流程示意图；

图7是本申请提供的存储芯片的测试装置一实施例的结构示意图；

图8是本申请提供的计算机存储介质一实施例的结构示意图。

具体实施方式

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。