[发明专利]一种存储芯片的测试方法以及测试装置

权利要求书

1.一种存储芯片的测试方法，其特征在于，包括：

向待测存储芯片的测试物理地址写入第一数据；

从所述待测存储芯片的测试物理地址读取第二数据；

停止数据的写入和读取，以使所述待测存储芯片切换至深度睡眠状态；

在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取所述待测存储芯片的设定电特征参数；

判断所述设定电特征参数是否满足预设条件；

若是，则确定所述待测存储芯片满足测试要求。

2.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述向所述待测存储芯片的测试物理地址写入第一数据的步骤之前，所述方法还包括：

获取所述待测存储芯片中的多个物理地址作为所述测试物理地址。

3.根据权利要求2所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述多个物理地址分别对应多个物理地址段，所述多个物理地址段至少包括起始物理地址段、中间物理地址段和结束物理地址段；

其中，所述起始物理地址段包括所述待测存储芯片的起始物理地址，所述中间物理地址段包括所述待测存储芯片的中间物理地址，所述结束物理地址段包括所述待测存储芯片的结束物理地址。

4.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述从所述待测存储芯片的测试物理地址读取第二数据的步骤之后，还包括：

判断所述第一数据和所述第二数据是否相同；

若是，执行所述在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，获取所述待测存储芯片的设定电特征参数的步骤；

若否，则确定所述待测存储芯片不满足测试要求。

5.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述判断所述设定电特征参数是否满足预设条件的步骤，具体为：

判断所述待测存储芯片的当前电流值是否小于设定电流阈值。

6.根据权利要求5所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述设定电流阈值的范围为15-25μA。

7.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述判断所述设定电特征参数是否满足预设条件的步骤，具体为：

判断所述待测存储芯片的当前电压值是否小于设定电压阈值。

8.根据权利要求1所述的存储芯片的测试方法，其特征在于，

所述待测存储芯片为将晶圆通过切割和封装之后的存储芯片。

9.一种存储芯片的测试装置，其特征在于，包括：

传感组件，用于在待测存储芯片从工作状态切换至深度睡眠状态后，采集所述待测存储芯片的设定电特征参数；

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于在执行所述计算机程序时，执行如权利要求1-8任一项所述的存储芯片的测试方法。