[发明专利]一种图形的修剪方法及等离子体处理装置

说明书

本申请提供了一种图形的修剪方法，在修剪图形中，采用的偏置功率为0～50W，相较于常规修剪过程中采用的偏置功率，该偏置功率较小，为低偏置功率。因此，即使光刻胶已经被除去，也可以采用该工艺条件直接对图形进行修剪，如此，避免了光刻胶对图形的影响，进而有利于提高图形的轮廓质量。另外，因该偏置功率较小，因此，在对图形修剪过程中，刻蚀气体几乎不会与未被图形覆盖的底部材料层进行反应，所以，不会在底部材料层上形成凹槽。此外，本申请还提供了一种等离子体处理装置。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种图形的修剪方法及等离子体处理装置。

背景技术

在半导体制造领域，为了保证同一产品在性能上具有一致性，要求同一批产品中的产品间的刻蚀后关键尺寸必须被控制在一定范围内。

在现有技术中，为了能够精确控制产品的关键尺寸，需要对图形或器件进行修剪。

图形的修剪工艺的原理是采用刻蚀气体对图形进行干法刻蚀，从而进一步对图形尺寸进行修正，以此来精确控制图形的精度，从而达到精确控制产品关键尺寸的目的。

然而，现有图形的修剪方法存在以下问题：修剪后的图形的轮廓质量较差，且在修剪过程中，刻蚀气体也会同时刻蚀未被图形覆盖的底部材料层，从而在底部材料上形成凹槽。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种图形的修剪方法及等离子体处理装置，以解决上述现有图形的修剪方法存在的技术问题。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：

一种图形的修剪方法，所述方法包括：

提供待修剪图形；

修剪所述待修剪图形；

其中，对图形进行修剪的工艺条件具体如下：

刻蚀气体：含氟气体，

气体流量：100～500sccm；

腔体压力：2～50mTorr；

源功率：500～1000W；

偏置功率：0～50W。

可选地，所述含氟气体包括：

NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一种。

可选地，所述刻蚀气体中还包括惰性气体。

可选地，所述惰性气体包括氦气。

可选地，所述图形为设置于硬掩模板上的掩模图形或者设置于衬底上的器件图形。

可选地，所述硬掩模板包括双图案化硬掩模板。

可选地，所述掩模图形的上方覆盖有底反射层，所述底反射层的上方设置有光刻胶图形，所述修剪所述待修剪图形之前，所述方法还包括：

所述光刻胶图形转移到所述底反射层，以使掩模图形中的一部分暴露出，另一部分被残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层覆盖；

所述修剪图形具体包括：

以残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层为掩蔽，采用所述工艺条件对暴露出的图形进行修剪。

可选地，对图形进行修剪后，所述方法还包括：

剥离所述残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层。

可选地，所述图形位于待刻蚀层的上方；