[发明专利]一种图形的修剪方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种图形的修剪方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待修剪图形；

修剪所述待修剪图形；

其中，对图形进行修剪的工艺条件具体如下：

刻蚀气体：含氟气体，

气体流量：100～500sccm；

腔体压力：2～50mTorr；

源功率：500～1000W；

偏置功率：0～50W。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟气体包括：

NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体中还包括惰性气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形为设置于硬掩模板上的掩模图形或者设置于衬底上的器件图形。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硬掩模板包括双图案化硬掩模板。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩模图形的上方覆盖有底反射层，所述底反射层的上方设置有光刻胶图形，所述修剪所述待修剪图形之前，所述方法还包括：

所述光刻胶图形转移到所述底反射层，以使掩模图形中的一部分暴露出，另一部分被残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层覆盖；

所述修剪图形具体包括：

以残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层为掩蔽，采用所述工艺条件对暴露出的图形进行修剪。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对图形进行修剪后，所述方法还包括：

剥离所述残留的底反射层或者残留的光刻胶和底反射层。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述图形位于待刻蚀层的上方；

所述修剪所述待修剪图形之后，还包括：

以修剪后的图形为掩蔽，刻蚀所述待刻蚀层。

10.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔内设置有基座，所述基座用于放置待处理基片；其中，所述反应腔内的刻蚀气体为含氟气体，

刻蚀气体流量为100～500sccm；

反应腔的腔体压力为2～50mTorr；

源功率为500～1000W；

偏置功率为0～50W。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述含氟气体包括：NF₃、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃和CF₄中的至少一种。