[发明专利]柔性显示屏的制造方法有效

专利信息
申请号: 201811268383.5 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN109360846B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 冯雪;叶柳顺;王宙恒;李海成;陈颖 申请(专利权)人: 清华大学;浙江清华柔性电子技术研究院
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 柔性 显示屏 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种柔性显示屏的制造方法,其特征在于,包括:

在半导体衬底的一面依次生成N型半导体层、量子阱层和P型半导体层,所述N型半导体层、所述量子阱层和所述P型半导体层构成功能层;

对所述功能层进行刻蚀,形成P型电极区域和N型电极区域;

在所述P型电极区域的对应位置生成P型透明电极,在所述N型电极区域的对应位置生成N型金属电极,形成多个发光器件;

将所述多个发光器件刻蚀分离为多个独立发光器件;

对所述多个独立发光器件进行互联;

将互联后的多个独立发光器件转印至柔性衬底;

去除所述半导体衬底,形成所述柔性显示屏。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述功能层进行刻蚀,形成P型电极区域和N型电极区域,包括:

在所述功能层上生成第一掩膜保护层;

将第一掩膜版图形转移到所述第一掩膜保护层上,暴露出待刻蚀的第一区域;

对所述第一区域进行刻蚀,去除所述第一区域的功能层中的P型半导体层、量子阱层和第一厚度的N型半导体层,形成N型电极区域;

去除所述第一掩膜保护层,

其中,所述功能层上除所述N型电极区域之外的区域为P型电极区域,所述第一厚度为0.3μm~1.2μm。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述P型电极区域的对应位置生成P型透明电极,在所述N型电极区域的对应位置生成N型金属电极,形成多个发光器件,包括:

以第二掩膜版为掩膜,在所述P型电极区域上制备P型透明电极图形;

采用物理气相沉积的方式,在所述P型透明电极图形上生成P型透明电极;

以第三掩膜版为掩膜,在所述N型电极区域上制备N型金属电极图形;

在所述N型金属电极图形上生成N型金属电极,形成多个发光器件。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,采用物理气相沉积的方式,在所述P型透明电极图形上生成P型透明电极之后,还包括:

在氧气环境下,对生成的P型透明电极进行退火处理,

其中,退火温度为450℃~650℃,退火时间为3min~5min。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述多个独立发光器件进行互联,包括:

将相邻的两个独立发光器件的N型金属电极通过互联导线连接;

在所述多个独立发光器件上生成钝化层;

对所述钝化层上与所述P型透明电极相对应的位置进行刻蚀,形成电极窗口;

将相邻的两个独立发光器件上所述电极窗口中暴露的P型透明电极通过互联导线连接。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述钝化层的材料为氮化硅,所述钝化层的厚度为0.3μm~0.5μm。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,在将互联后的多个独立发光器件转印至柔性衬底之前,所述方法还包括:

对所述半导体衬底的另一面进行减薄处理;

其中,所述半导体衬底的另一面是所述半导体衬底与设置有多个独立发光器件的一面相对的一面。

8.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述N型半导体层为N型掺杂的氮化镓层,所述P型半导体层为P型掺杂的氮化镓层。

9.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述P型透明电极的材料包括氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺铟氧化锌、掺氟氧化锡和掺铝锌氧化锡中的任一种,所述N型金属电极的材料包括镍、金、钛和铬中的任意两种。

10.根据权利要求1至6任一项所述的方法,其特征在于,所述半导体衬底为硅基半导体衬底。

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