[发明专利]多晶硅生产炉体防压差密封塞

权利要求书

1.一种多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：包括能够塞入多晶硅生产炉体上通孔内的封堵塞，封堵塞具有位于下部的圆柱形塞体，和位于上部的直径大于塞体的塞帽，塞体中部设置有环形凹槽，环形凹槽内卡装有密封圈，塞体靠近下端的部分为倒置锥台形，锥台最大直径大于多晶硅生产炉体上通孔直径构成限位台阶，锥台内部设置有同轴盲孔，盲孔侧壁上设置有若干内外贯通的狭长开口槽，使得锥台构成具有弹性的膨胀套结构。

2.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述锥台内部的盲孔为第一螺纹盲孔，盲孔内部通过螺纹配合连接有加强芯。

3.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞帽顶面设置有第二螺纹盲孔，第二螺纹盲孔内部设置有提升螺杆。

4.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述锥台根部设置有一段圆柱段，圆柱段直径与锥台最大直径一致。

5.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞体中部设置有多道环形凹槽，每道环形凹槽内分别设置有密封圈。

6.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞体下端锥台内部盲孔的侧壁上设置有至少四条内外贯通的狭长开口槽，使得锥台分隔为四瓣开花爪形，构成具有弹性的四爪膨胀套结构。

7.根据权利要求4所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞体下端锥台内部盲孔的深度大于狭长开口槽长度，狭长开口槽长度大于锥台高度与圆柱段高度之和。

8.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞帽下端面至限位台阶上端面距离大于多晶硅生产炉体上通孔高度。

9.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述塞帽下端面至限位台阶上端面距离比多晶硅生产炉体上通孔高度大1～2mm。

10.根据权利要求1所述多晶硅生产炉体防压差密封塞，其特征在于：所述密封圈为标准O型圈。