[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括半导体封装衬底。绝缘层设置在半导体封装衬底上。半导体芯片设置在半导体封装衬底上并被绝缘层覆盖。反射层设置在绝缘层上并与半导体芯片间隔开。反射层被配置为选择性将辐射透射到绝缘层。保护层设置在反射层上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0029714的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及半导体封装件，更具体地，涉及包括具有选择性透射率的反射层的半导体封装件。

背景技术

在制造过程中，会对半导体器件进行缺陷检查程序以检测器件中的任何潜在缺陷。在缺陷检查过程中通常使用X射线。然而，由于电荷泄露，X射线曝光本身可能使半导体器件的特性劣化。

用于缺陷检查的X射线可能包括波长较短且能量大于10keV的硬X射线和波长较长且能量通常在100eV至10keV范围内的软X射线。

发明内容

半导体封装件包括半导体封装衬底。绝缘层设置在所述半导体封装衬底上。半导体芯片设置在所述半导体封装衬底上并被所述绝缘层覆盖。反射层设置在所述绝缘层上并与所述半导体芯片间隔开。所述反射层被配置为选择性地将辐射透射到绝缘层。保护层设置在所述反射层上。

半导体封装件包括半导体封装衬底。模制层设置在所述半导体封装衬底上。半导体芯片设置在所述半导体封装衬底上并被所述模制层覆盖。所述半导体封装件被配置为相比于软X射线更能透射硬X射线。

半导体封装件包括半导体封装衬底。绝缘层设置在所述半导体封装衬底上。半导体芯片设置在所述半导体封装衬底上并被所述绝缘层覆盖。反射层设置在所述绝缘层上并与所述半导体芯片间隔开，并且所述反射层包括原子序数大于12的金属材料。保护层设置在所述反射层上。

附图说明

通过参考附图对本发明构思的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的上述和其他方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的透视图；

图2是沿图1中的线A-A’截取的截面图；

图3是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件中包括的辅助膜131和133的图；

图4是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件中包括的反射层131的材料的曲线图；

图5是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件中包括的辅助膜131和133的图；

图6是沿图1中的线A-A’截取的截面图；

图7是沿图1中的线A-A’截取的截面图；

图8、图9、图10、图11A、图11B、图11C、图12、图13、图14、图15和图16分别是根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的截面图；以及，

图17至图27是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的制造半导体封装件的方法的中间阶段示图。

具体实施方式

下面将参考图1至图5描述根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件。

图1是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的透视图。图2是沿图1中的线A-A’截取的截面图。