[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

半导体封装衬底；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述半导体封装衬底上；

半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述半导体封装衬底上并被所述绝缘层覆盖；

反射层，所述反射层设置在所述绝缘层上并与所述半导体芯片间隔开，所述反射层被配置为选择性地将辐射透射到所述绝缘层；以及，

保护层，所述保护层设置在所述反射层上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述反射层被配置为相比于软X射线更能透射硬X射线。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述反射层被配置为阻挡软X射线并透射硬X射线。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述反射层被配置为阻挡激光。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述反射层包含原子序数大于12的金属材料，并且

其中，所述保护层包含与所述绝缘层相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述反射层完全覆盖所述绝缘层的上表面。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

屏蔽层，所述屏蔽层与所述半导体芯片间隔开，并在所述半导体封装衬底与所述反射层之间围绕所述绝缘层，

其中，所述屏蔽层从所述半导体封装衬底的上表面延伸到所述反射层的下表面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述保护层包含热致变色材料和/或光致变色材料，并且

其中，所述热致变色材料和/或所述光致变色材料具有包括晶粒的晶体结构。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

插入层，所述插入层介于所述反射层与所述保护层之间，

其中，所述插入层包括被配置为反射电磁波的反射物。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

热传导材料层，所述热传导材料层设置在所述半导体芯片与所述反射层之间的所述绝缘层内。

11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

半导体封装衬底；

模制层，所述模制层设置在所述半导体封装衬底上；以及，

半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述半导体封装衬底上并被所述模制层覆盖，

其中，所述半导体封装件被配置为相比于软X射线更能透射硬X射线。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述半导体封装件被配置为阻挡软X射线并且透射硬X射线。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述模制层包括：

绝缘层，所述绝缘层设置在所述半导体封装衬底上，并且所述半导体芯片包括在所述绝缘层中；以及，

辅助膜，所述辅助膜设置在所述绝缘层上并与所述半导体芯片间隔开，

其中，所述辅助膜被配置为相比于软X射线更能透射硬X射线。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述模制层包括：

绝缘层，所述绝缘层设置在所述半导体封装件的上表面上，并且所述半导体芯片包括在所述绝缘层中；

反射层，所述反射层设置在所述绝缘层上并与所述半导体芯片间隔开；以及，

保护层，所述保护层设置在所述反射层上。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中，所述反射层被配置为阻挡软X射线，并将硬X射线透射到所述绝缘层中。