[发明专利]一种十二主栅电池片及其制造工艺

权利要求书

1.一种十二主栅电池片，包括正面电极和背面电极，其特征在于：所述正面电极上设有十二条相互平行的主栅线和若干条细栅线；所述主栅线的两端均设置成分叉结构；

相连电池片上的所述两主栅线采用点线相连的方式连接；所述点线相连的方式中的点宽为0.6mm，所述点线相连的方式中的线宽为0.1mm；

相邻两所述细栅线之间的主栅线上连接有小段栅线。

2.根据权利要求1所述的一种十二主栅电池片，其特征在于，所述主栅线的宽度为0.1mm-0.2mm。

3.根据权利要求1所述的一种十二主栅电池片，其特征在于，所述细栅线的宽度为20-30um。

4.根据权利要求1所述的一种十二主栅电池片，其特征在于，所述小段栅线宽度较细栅线的宽度宽5-10um。

5.如权利要求1-4任意一所述的一种十二主栅电池片的制造工艺，依次包括制绒、低压扩散、刻蚀、抗PID、PECVD、背电极印刷、背电场印刷、正电极印刷、烧结、测试分选、组装成组件；其特征在于，

所述低压扩散采用两步扩散，包括第一次磷源扩散和第二次磷源扩散；

所述第一次磷源扩散：使内、外炉腔内的温度稳定在835±0.5℃范围内，向内炉腔内通入大氮、小氮和氧气，对晶体硅片进行第一次磷源扩散，小氮流量为1150±50sccm，小氮流量为115±5sccm，氧气流量为180±20sccm，第一次磷源扩散时间为15±1min，内、外炉腔内的压力维持在150±5mbar范围内；

所述第二次磷源扩散：使内、外炉腔内的温度稳定在835±0.5℃范围内，向内炉腔内通入大氮、氧气以及携带磷源的小氮，对晶体硅片进行第二次磷源扩散，小氮流量为1150±50sccm，小氮流量为180±20sccm，氧气流量为110±10sccm，第二次磷源扩散时间为15±1min，内、外炉腔内的压力维持在150±5mbar范围内。

6.根据权利要求5所述的一种十二主栅电池片的制造工艺，其特征在于，所述抗PID包括将所述刻蚀后的电池片置于臭氧气氛中进行初步氧化，在所述电池片表面形成第一二氧化硅薄膜；再将初步氧化后的电池片置于化学气相沉积设备的腔体中，真空条件下，以含有二氧化氮的气体作为反应气体在所述第一二氧化硅薄膜上沉积第二二氧化硅薄膜；向所述腔体中通入第一混合气体，其中，所述第一混合气体中含有体积比为1:3～6的硅烷和氨气，在所述第二二氧化硅薄膜上沉积第一氮化硅薄膜；以及向所述腔体中通入第二混合气体，其中，所述第二混合气体中含有体积比为1:7～9的硅烷和氨气，在所述第一氮化硅薄膜上沉积第二氮化硅薄膜，得到抗PID电池片。