[发明专利]一种通孔结构及其制备方法、三维存储器

权利要求书

1.一种通孔结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基底结构，所述基底结构包括第一材料层；

刻蚀所述第一材料层，形成第一通孔；

在所述第一通孔的上开口的侧壁处形成侧壁层，所述侧壁层的材料为介质材料；

在所述第一材料层上沉积第二材料层；

刻蚀所述第二材料层，形成第二通孔；所述第二通孔的下开口侧壁沿径向向内的方向凸出于所述第一通孔的上开口侧壁；

在所述第一通孔和所述第二通孔内沉积膜层，所述侧壁层位于所述膜层的外侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁层在所述第一通孔的径向向内的方向上未凸出于第二通孔的下开口侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁层的内壁与所述第二通孔的下开口内壁对齐。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁层的厚度沿所述第一通孔的轴向从顶部到底部逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔的剖面均为倒梯形。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔共同构成三维存储器的沟道通孔；

所述第一材料层、第二材料层均包括若干层交替堆叠的NO叠层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁层的材料包括SiO₂或者Al₂O₃。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述侧壁层的材料中掺杂有锗元素。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁层采用化学气相沉积工艺形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一材料层上沉积第二材料层之前，所述方法还包括：在所述第一通孔内填充牺牲材料；使得所述牺牲材料与所述第一材料层的上表面齐平。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成第二通孔后，所述方法还包括去除所述牺牲材料的步骤。

12.一种通孔结构，其特征在于，所述结构包括：

第一通孔，形成在第一材料层的内部；

第二通孔，形成在第二材料层的内部，所述第二材料层堆叠在所述第一材料层之上，所述第二通孔的下开口侧壁沿径向向内的方向凸出于所述第一通孔的上开口侧壁；

侧壁层，位于所述第一通孔的上开口的侧壁处，所述侧壁层的材料为介质材料；

膜层，沉积在所述第一通孔和所述第二通孔内；所述侧壁层位于所述膜层的外侧。

13.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述侧壁层在所述第一通孔的径向向内的方向上未凸出于第二通孔的下开口侧壁。

14.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述侧壁层的内壁与所述第二通孔的下开口内壁对齐。

15.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述第二通孔的下开口关键尺寸与所述第一通孔的下开口关键尺寸相等。

16.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述侧壁层的厚度沿所述第一通孔的轴向从顶部到底部逐渐减小。

17.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔的剖面均为倒梯形。