[发明专利]光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法有效
申请号: | 201811260306.5 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109407461B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 谢昌翰;舒适 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G09F9/30 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 及其 制作方法 制作 显示 器件 方法 | ||
1.一种光掩模,其特征在于,包括:
基板;
图案化遮光层,所述图案化遮光层设置在所述基板的表面上;
平坦化层,所述平坦化层与所述图案化遮光层位于所述基板的同一表面上,且覆盖所述图案化遮光层;以及
准直结构,所述准直结构设置在所述平坦化层远离所述基板的表面上;
所述准直结构包括光子晶体层。
2.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,形成所述光子晶体层的材料包括压印胶或无机材料。
3.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,所述光子晶体层满足以下条件的至少之一:
厚度为30nm~1mm;
光子晶体单元之间的间隔为10nm~5μm。
4.一种制作权利要求1~3中任一项所述的光掩模的方法,其特征在于,包括:
在基板的表面上形成图案化遮光层;
在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层;
在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成准直结构,以便得到所述光掩模;其中,所述准直结构为光子晶体层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶体层的步骤包括:
在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成第一压印胶层;
对所述第一压印胶层进行第一纳米压印处理,以便得到所述光子晶体层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在形成所述第一压印胶层之后,进行所述第一纳米压印处理之前,进一步包括:
将所述第一压印胶层进行第一预固化处理。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶体层的步骤包括:
在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成无机材料层;
在所述无机材料层远离所述平坦化层的表面上形成第二压印胶层;
将所述第二压印胶层进行第二纳米压印处理,得到刻蚀保护层;
以所述刻蚀保护层为掩膜版,对所述无机材料层进行刻蚀处理,以便得到所述光子晶体层;
去除所述刻蚀保护层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在形成所述第二压印胶层之后,进行所述第二纳米压印处理之前,进一步包括:
将所述第二压印胶层进行第二预固化处理。
9.一种制作显示器件的方法,其特征在于,所述显示器件中的聚合物墙是利用权利要求1~3中任一项所述的光掩模制作形成的。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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