[发明专利]光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法有效

专利信息
申请号: 201811260306.5 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109407461B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 谢昌翰;舒适 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;G09F9/30
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光掩模 及其 制作方法 制作 显示 器件 方法
【权利要求书】:

1.一种光掩模,其特征在于,包括:

基板;

图案化遮光层,所述图案化遮光层设置在所述基板的表面上;

平坦化层,所述平坦化层与所述图案化遮光层位于所述基板的同一表面上,且覆盖所述图案化遮光层;以及

准直结构,所述准直结构设置在所述平坦化层远离所述基板的表面上;

所述准直结构包括光子晶体层。

2.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,形成所述光子晶体层的材料包括压印胶或无机材料。

3.根据权利要求1所述的光掩模,其特征在于,所述光子晶体层满足以下条件的至少之一:

厚度为30nm~1mm;

光子晶体单元之间的间隔为10nm~5μm。

4.一种制作权利要求1~3中任一项所述的光掩模的方法,其特征在于,包括:

在基板的表面上形成图案化遮光层;

在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层;

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成准直结构,以便得到所述光掩模;其中,所述准直结构为光子晶体层。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶体层的步骤包括:

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成第一压印胶层;

对所述第一压印胶层进行第一纳米压印处理,以便得到所述光子晶体层。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在形成所述第一压印胶层之后,进行所述第一纳米压印处理之前,进一步包括:

将所述第一压印胶层进行第一预固化处理。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述光子晶体层的步骤包括:

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成无机材料层;

在所述无机材料层远离所述平坦化层的表面上形成第二压印胶层;

将所述第二压印胶层进行第二纳米压印处理,得到刻蚀保护层;

以所述刻蚀保护层为掩膜版,对所述无机材料层进行刻蚀处理,以便得到所述光子晶体层;

去除所述刻蚀保护层。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在形成所述第二压印胶层之后,进行所述第二纳米压印处理之前,进一步包括:

将所述第二压印胶层进行第二预固化处理。

9.一种制作显示器件的方法,其特征在于,所述显示器件中的聚合物墙是利用权利要求1~3中任一项所述的光掩模制作形成的。

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