[发明专利]流场分布的检测方法

说明书

本发明提供了一种流场分布的检测方法，通过在所述清洗机台的槽体内对裸晶圆进行湿法清洗；再通过检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布来准确的反应出所述槽体的流场分布，进而在选择合适的清洗机台及分析晶圆缺陷的来源与位置均能起到至关重要的作用。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种流场分布的检测方法。

背景技术

由于半导体领域制程工艺中产生缺陷的因素较多，在工程师们进行良率分析时确定导致缺陷产生的具体工艺环节对改善制程条件尤为重要。

在晶圆的制造过程中，湿法清洗是必不可少的工序，湿法清洗通常是在清洗机台内进行，清洗机台的清洗状况会关系到晶圆是否被清洗干净及晶圆后续制程中缺陷的集中位置，但是目前并没有一种能够直接得出清洗机台的清洗状况的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种流场分布的检测方法，以检测清洗机台湿法清洗的流场分布。

为了达到上述目的，本发明提供了一种流场分布的检测方法，用于检测湿法清洗过程中清洗机台的槽体的流场分布，其特征在于，包括：

提供裸晶圆，在所述清洗机台的槽体内对所述裸晶圆进行湿法清洗；

检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布，并利用所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布表征所述槽体的流场分布。

可选的，所述湿法清洗为湿法化学清洗，所述湿法化学清洗包括依次进行的化学试剂清洗、快速倾卸冲洗以及干燥处理。

可选的，根据所述槽体的流场分布获取所述裸晶圆的清洗状况分布，以通过所述清洗状况分布在所述裸晶圆上标记后续制程的缺陷易发区。

可选的，所述缺陷易发区为湿法清洗后的所述裸晶圆表面上铁离子浓度大于1E10atoms/cm₂的区域。

可选的，在对所述裸晶圆进行湿法清洗之后，检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布之前，所述流场分布的检测方法还包括：

对所述裸晶圆进行热氧化工艺。

可选的，在对所述裸晶圆进行热氧化工艺以一氧化层于所述裸晶圆上，所述氧化层的厚度小于等于100nm。

可选的，对所述裸晶圆进行热氧化工艺的温度介于600摄氏度-1000摄氏度之间。

可选的，所述热氧化工艺包括炉管氧化工艺或快速热处理工艺。

可选的，采用铁离子侦测技术检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布。

可选的，所述流场分布的检测方法还包括分别提供裸晶圆于不同的清洗机台的槽体内进行湿法清洗，根据各清洗机台的槽体的流场分布获取不同清洗机台的清洗状况。

在本发明提供的流场分布的检测方法中，通过在所述清洗机台的槽体内对裸晶圆进行湿法清洗；再通过检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布来准确的反应出所述槽体的流场分布，进而在选择合适的清洗机台及分析晶圆缺陷的来源与位置均能起到至关重要的作用。

附图说明

图1为本发明实施例提供的未经过湿法清洗的晶圆表面的铁离子的浓度分布图；

图2为本发明实施例提供的采用Ⅰ型清洗机台对晶圆进行湿法清洗的示意图；

图3为本发明实施例提供的采用Ⅰ型清洗机台对晶圆进行湿法清洗后晶圆表面的铁离子的浓度分布图；

图4为本发明实施例提供的采用Ⅱ型清洗机台对晶圆进行湿法清洗的示意图；

图5为本发明实施例提供的采用Ⅱ型清洗机台对晶圆进行湿法清洗后晶圆表面的铁离子的浓度分布图；