[发明专利]流场分布的检测方法有效
| 申请号： | 201811260048.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111106024B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王沛萌;请求不公布姓名;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分布 检测 方法 | ||
1.一种流场分布的检测方法，用于检测湿法清洗过程中清洗机台的槽体的流场分布，其特征在于，包括：
提供表面没有任何图案的裸晶圆于不同的清洗机台的槽体内进行湿法清洗，所述裸晶圆表面分布有铁离子；
检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布，并利用所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布表征所述槽体的流场分布，根据各清洗机台的槽体的流场分布获取不同清洗机台的清洗状况。
2.如权利要求1所述的流场分布的检测方法，其特征在于，所述湿法清洗为湿法化学清洗，所述湿法化学清洗包括依次进行的化学试剂清洗、快速倾卸冲洗以及干燥处理。
3.如权利要求1所述的流场分布的检测方法，其特征在于，根据所述槽体的流场分布获取所述裸晶圆的清洗状况分布，以通过所述清洗状况分布在所述裸晶圆上标记后续制程的缺陷易发区。
4.如权利要求3所述的流场分布的检测方法，其特征在于，所述缺陷易发区为湿法清洗后的所述裸晶圆表面上铁离子浓度大于1E10atoms/cm2的区域。
5.如权利要求1所述的流场分布的检测方法，其特征在于，在对所述裸晶圆进行湿法清洗之后，检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布之前，所述流场分布的检测方法还包括：
对所述裸晶圆进行热氧化工艺。
6.如权利要求5所述的流场分布的检测方法，其特征在于，在对所述裸晶圆进行热氧化工艺以一氧化层于所述裸晶圆上，所述氧化层的厚度小于等于100nm。
7.如权利要求6所述的流场分布的检测方法，其特征在于，对所述裸晶圆进行热氧化工艺的温度介于600摄氏度-1000摄氏度之间。
8.如权利要求7所述的流场分布的检测方法，其特征在于，所述热氧化工艺包括炉管氧化工艺或快速热处理工艺。
9.如权利要求1所述的流场分布的检测方法，其特征在于，采用铁离子侦测技术检测所述裸晶圆表面的铁离子的浓度分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
