[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法

说明书

本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，所述扇出型天线封装方法中，将半导体芯片的正面接合于分离层的上表面；采用封装层包覆半导体芯片的侧面及底面；基于分离层，分离封装层，以显露半导体芯片的正面；重新布线层与半导体芯片电连接；于重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，天线结构与重新布线层电连接；贯穿封装层形成通孔，通孔显漏重新布线层中的金属布线层；通过通孔，形成与金属布线层电连接的金属凸块。可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种扇出型天线封装结构及封装方法。

背景技术

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，常用的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP)，倒装芯片(Flip Chip)，叠层封装(Package on Package，POP)等等。其中，FOWLP由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好，已成为目前较为常用的封装方法之一。

随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，特别是为了配合移动的需求，大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。

一般来说，现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面，这种做法会让天线占据额外的电路板面积，整合性较差、成本较高。对于各种高科技电子产品而言，若将天线直接制作于电路板的表面，将需要具有较大体积的电路板，从而使得高科技电子产品也占据较大的体积，这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背，因此，如何减小天线封装结构的体积、提高天线封装结构的整合性能及降低生产成本，将是这些电子装置所需克服的问题。

鉴于此，有必要设计一种新型的扇出型天线封装结构及封装方法，用于解决天线封装结构的上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，用于解决现有技术中天线封装结构体积大、整合性能低及生产成本高的封装问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

提供半导体芯片，将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面；

采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

基于所述分离层，分离所述封装层，以显露所述半导体芯片的正面；

于所述封装层的第一面上形成重新布线层，且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层电连接；

贯穿所述封装层形成通孔，所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层；

通过所述通孔，形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。

可选地，所述重新布线层的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

可选地，所述分离层包括在加热或光照下粘度降低的胶带。

可选地，形成的扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

可选地，形成所述通孔的方法包括激光钻孔法及干法刻蚀中的一种或组合。