[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种扇出型天线封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

提供半导体芯片，将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面；

采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

基于所述分离层，分离所述封装层，以显露所述半导体芯片的正面；

于所述封装层的第一面上形成重新布线层，且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层电连接；

贯穿所述封装层形成通孔，所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层；

通过所述通孔，形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述重新布线层的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述分离层包括在加热或光照下粘度降低的胶带。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：形成的扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光钻孔法及干法刻蚀中的一种或组合。

6.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

7.根据权利要求6所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面且与所述天线金属连接柱电连接。

8.根据权利要求6所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。

9.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

10.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述金属凸块凸出于所述通孔。

11.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；

堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接；

半导体芯片，位于所述重新布线层的第一面上，所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；

封装层，所述封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层中包括显漏所述金属布线层的通孔；

金属凸块，所述金属凸块通过所述通孔与所述金属布线层电连接。

12.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

13.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

14.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

15.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。