[发明专利]半导体装置

说明书

提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

该专利申请要求于2017年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0167399号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开总体上涉及电子领域，更具体地，涉及半导体装置。

背景技术

由于随着电子工业的发展加速了半导体装置的缩小，高密度和低功耗的半导体芯片可以是有益的。

为了制造高密度和低功耗的半导体装置，可以期望减小包括在半导体装置中的元件(例如，晶体管、导线)的尺寸并且减小在后端(BEOL)工艺中使用的金属间绝缘膜(例如，导电元件之间的绝缘层)的介电常数k，同时提高导电元件(例如，导线)之间的介电膜的电阻电容和可靠性。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了具有过孔金属层与下金属层之间的电连接的可靠性的半导体装置。

本发明构思的一些实施例提供了一种通过减少过孔金属层和应当与过孔金属层电绝缘的下金属层之间的电短路而具有可靠性的半导体装置。

根据本发明构思的一些实施例，半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

根据本发明构思的一些实施例，半导体装置可以包括：基底；第一绝缘膜，位于基底上；第一下金属层，位于第一绝缘膜中；第二下金属层，位于第一绝缘膜中并且与第一下金属层在水平方向上间隔开；第二绝缘膜，位于第一绝缘膜上并且位于第一下金属层的侧面和第二下金属层的侧面两者上；以及过孔金属层，位于第一下金属层上并且与第一下金属层电连接。第一下金属层和第二下金属层中的每个的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

根据本发明构思的一些实施例，半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的阻挡介电膜、位于阻挡介电膜上的限定凹部的一部分的第三绝缘膜以及位于凹部的由第三绝缘膜限定的所述一部分中并且与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上。下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

将理解的是，本公开不限于上述示例实施例。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，在附图中：

图1是用于解释根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的布局图；