[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811255948.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109904140A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李义福;郑德泳;姜尚范;朴斗焕;白宗玟;安商燻;吴赫祥;刘禹炅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘膜 基底 半导体装置 下金属层 上表面 介电膜 下表面 凹部 长竖 阻挡 电连接 金属层 凸出的 堆叠 竖直 | ||
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底；
第一绝缘膜，位于基底上；
下金属层，位于第一绝缘膜中；
第二绝缘膜，位于第一绝缘膜上，其中，第二绝缘膜包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面是向上凸出的；
阻挡介电膜，位于第二绝缘膜上，其中，阻挡介电膜限定凹部的一部分；以及
过孔金属层，位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并且与下金属层电连接，
其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且
其中，下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下金属层的一部分位于第二绝缘膜中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡介电膜包括：
第一蚀刻阻止膜，位于第二绝缘膜上；以及
氧化抑制膜，位于第一蚀刻阻止膜上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，阻挡介电膜还包括位于氧化抑制膜上的第二蚀刻阻止膜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，阻挡介电膜在过孔金属层的一部分的侧面上延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于阻挡介电膜上的第三绝缘膜，
其中，第三绝缘膜在过孔金属层的一部分的侧面上延伸。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于阻挡介电膜与第三绝缘膜之间的粘合膜。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分是凹部的下部，
其中，第三绝缘膜限定凹部的上部，并且
其中，第三绝缘膜的限定凹部的上部的部分的侧面具有与阻挡介电膜的限定凹部的下部的部分的侧面的轮廓不同的轮廓。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，阻挡介电膜的一部分包括限定凹部的弯曲表面，并且
其中，阻挡介电膜的所述部分的弯曲表面是朝向凹部凸出的。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二绝缘膜的一部分包括面对凹部的弯曲表面，并且
其中，第二绝缘膜的所述部分的弯曲表面是朝向凹部凸出的。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下金属层的上表面的宽度等于过孔金属层的下表面的宽度。
12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底；
第一绝缘膜，位于基底上；
第一下金属层，位于第一绝缘膜中；
第二下金属层，位于第一绝缘膜中并且与第一下金属层在水平方向上间隔开；
第二绝缘膜，位于第一绝缘膜上；以及
过孔金属层，位于第一下金属层上并且与第一下金属层电连接，
其中，第一下金属层和第二下金属层中的每个的上表面与基底之间的最长竖直距离小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，第二绝缘膜位于第一下金属层的侧面和第二下金属层的侧面两者上。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，第二绝缘膜包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且
其中，第二绝缘膜的上表面是向上凸出的。
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