[发明专利]一种掩膜版制作工艺在审
| 申请号： | 201811250051.4 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109407462A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郑跃勇;刘斌 | 申请（专利权）人： | 宁波微迅新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学高分子 复合板材 掩膜版 光刻 制作工艺 抗反射 密着层 显影槽 显影 复合板材表面 玻璃制作 激光曝光 传统的 对中性 显影液 坚膜 上旋 涂胶 旋涂 掩膜 直写 制作 浸泡 | ||
1.一种掩膜版制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：
S1、涂胶：提供一光学高分子PC复合板材，在所述光学高分子PC复合板材表面旋涂抗反射中性密着层，在所述抗反射中性密着层上旋涂中性UV光刻胶；
S2、光刻：通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行激光曝光；
S3、显影：将光刻后的光学高分子PC复合板材置于一显影槽进行浸泡显影，所述显影槽内设有显影液；
S4、坚膜。
2.根据权利要求1所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：所述中性UV光刻胶由中性UV油、光刻胶和助剂按照4:5:1的比例混合而成。
3.根据权利要求1所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：在所述步骤S1中，包括如下步骤：
S11、提供一光学高分子PC复合板材；
S12、在所述光学高分子PC复合板材上涂抹抗反射中性密着层，通过自然流平方式使抗反射中性密着层平铺至整个光学高分子PC复合板材上；
S13、待所述抗反射中性密着层晾干后，在其上涂抹中性UV光刻胶，通过旋转甩平方式将中性UV光刻胶平铺在抗反射中性密着层上；
S14、进行烘烤固化。
4.根据权利要求3所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：在步骤S14中，将涂抹处理后的所述光学高分子PC复合板材置于100-110℃中烘烤10-25min，进行固化，使各层之间紧密连接。
5.根据权利要求1所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：在所述步骤S3中，光刻后的所述高分子PC复合板材倾斜置于显影槽。
6.根据权利要求5所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：所述显影液包括氢氧化钠、助剂和活性水。
7.根据权利要求1所述的掩膜版制作工艺，其特征在于：在步骤S4中，所述坚膜采用烘烤坚膜方式，烘烤温度为100-110℃，烘烤时间为15-30min。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
