[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本说明书公开半导体装置及其制造方法。本说明书公开的半导体装置具备：第1半导体元件以及第2半导体元件；第1绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于第1半导体元件；以及第2绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于第2半导体元件。该半导体装置中的第1绝缘基板的一方的金属层经由连接器电连接于第2绝缘基板的一方的金属层。该连接器由与第1绝缘基板以及第2绝缘基板分开的部件构成，连接器的一端接合于第1绝缘基板的一方的金属层，连接器的另一端接合于第2绝缘基板的一方的金属层。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

在日本特开2015-57807号公报中公开了半导体装置。该半导体装置具备第1半导体元件以及第2半导体元件、与第1半导体元件连接的第1金属体、以及与第2半导体元件连接的第2金属体。该半导体装置中的第1金属体经由连接器电连接于第2金属体。该连接器与第1金属体以及第2金属体中的至少一方一体地设置。

发明内容

根据上述半导体装置的结构，在制造工序中，能够使连接器与其它部件的定位精度良好地安装。另一方面，作为这样的半导体装置的一种，有时采用绝缘基板代替金属体。在此，绝缘基板主要为在电力系统的电路中所使用的基板，例如具有在由陶瓷构成的绝缘层的两面分别设置有铜、铝等的金属层的构造。在采用绝缘基板的情况下，考虑在与半导体元件连接的金属层预先一体地形成连接器。然而，在绝缘基板的制造中，在将金属层接合于绝缘层时需要进行高温处理，当在该金属层预先形成有连接器时，连接器因高温而软化，有可能会变形。如果使用这样的连接器来制造半导体装置，则无法在正确的位置或以正确的姿势连接两个绝缘基板。本说明书提供防止在使用了具有连接器的绝缘基板的半导体装置的制造中连接器变形的技术。

本说明书公开的半导体装置具备：第1半导体元件以及第2半导体元件；第1绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于第1半导体元件；以及第2绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于第2半导体元件。该半导体装置中的第1绝缘基板的一方的金属层经由连接器电连接于第2绝缘基板的一方的金属层。该连接器由与第1绝缘基板以及第2绝缘基板分开的部件构成，连接器的一端接合于第1绝缘基板的一方的金属层，连接器的另一端接合于第2绝缘基板的一方的金属层。

在上述半导体装置中，连接器由与第1绝缘基板以及第2绝缘基板分开的部件构成，连接器的一端接合于第1绝缘基板的一方的金属层，连接器的另一端接合于第2绝缘基板的一方的金属层。根据这样的结构，在制造半导体装置时，无需将连接器预先设置于第1绝缘基板以及第2绝缘基板，作为与第1绝缘基板以及第2绝缘基板分开的部件，能够单独地准备连接器。由此，在准备第1绝缘基板以及第2绝缘基板的阶段，连接器不会受到高温处理的影响，能够防止连接器变形。

本说明书公开上述半导体装置的制造方法。该制造方法具备分别准备第1绝缘基板、第2绝缘基板以及连接器的工序、以及将连接器的一端接合于第1绝缘基板的一方的金属层，并且将连接器的另一端接合于第2绝缘基板的一方的金属层的工序。根据这样的结构，在准备第1绝缘基板以及第2绝缘基板的阶段，连接器不会受到高温处理的影响，能够防止连接器变形。

附图说明

图1是示出实施例1的半导体装置10的内部构造的剖视图。

图2是说明实施例1的连接器60的结构的图。

图3是说明半导体装置10的制造方法的图，示出在第1下侧绝缘基板26上堆叠第1半导体元件20以及第1导体隔件24，形成第1层叠体X1，在第2下侧绝缘基板46上堆叠第2半导体元件40以及第2导体隔件44，形成第2层叠体X2的方式。