[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811240917.3 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109727959A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 浅井林太郎 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘基板 金属层 连接器 半导体元件 半导体装置 绝缘层 接合 电连接 制造 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第1半导体元件以及第2半导体元件；
第1绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于所述第1半导体元件；以及
第2绝缘基板，具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造，一方的金属层连接于所述第2半导体元件，
所述第1绝缘基板的所述一方的金属层经由连接器电连接于所述第2绝缘基板的所述一方的金属层，
所述连接器由与所述第1绝缘基板以及所述第2绝缘基板分开的部件构成，
所述连接器的一端接合于所述第1绝缘基板的所述一方的金属层，所述连接器的另一端接合于所述第2绝缘基板的所述一方的金属层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述第1绝缘基板和所述第2绝缘基板中的至少一方，在所述一方的金属层形成有凹部，所述连接器的所述一端或者所述另一端连接于所述凹部。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，
所述第1绝缘基板的所述一方的金属层的至少一部分与所述第2绝缘基板的所述一方的金属层的至少一部分对置。
4.一种制造方法，是权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具备：
分别准备所述第1绝缘基板、所述第2绝缘基板以及所述连接器的工序；以及
将所述连接器的所述一端接合于所述第1绝缘基板的所述一方的金属层，并且将所述连接器的所述另一端接合于所述第2绝缘基板的所述一方的金属层的工序。
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