[发明专利]一种非均匀多层薄膜的镀膜方法

说明书

本发明涉及镀膜设备技术领域，具体涉及一种非均匀多层薄膜的镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将试样(3)放入超声波清洗机中，用丙酮清洗试样(3)；S2.将试样(3)放入真空干燥箱中干燥；S3.将试样(3)放入非均匀多层薄膜的镀膜设备的试样台(3)上；S4.镀制第一薄膜层(16),S5.镀制第二薄膜层(17)；S6.镀制第三薄膜层(18),S7.镀膜完成，关闭非均匀多层薄膜的镀膜设备。采用这种结构后，该方法可以镀制非均匀多层薄膜，为科研人员对非均匀多层薄膜的研究工作做铺垫。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种非均匀多层薄膜的镀膜方法。

背景技术

磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。

磁控溅射镀膜系统是在基本的二极溅射系统发展而来，解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置100～1000Gauss强力磁铁，真空室充入0.1～10Pa压力的惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。在高压作用下Ar原子电离成为Ar⁺离子和电子，产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar⁺离子，与没有磁控管的结构的溅射相比，离化率迅速增加10～100倍，因此该区域内等离子体密度很高。经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚,最终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。而Ar⁺离子在高压电场加速作用下,与靶材的撞击并释放出能量,导致靶材表面的原子吸收Ar⁺离子的动能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片，并在基片上沉积形成薄膜。

但现有技术中的磁控溅射镀膜系统，所镀制的多层薄膜为均匀的一层一层的在基片或者试样上成膜，也就是说，所镀制得到的薄膜层在基片或者试样上，在截面方向看，从试样上的一端至试样的另一端的厚度是均匀的。

运用现有技术中的镀膜方法，无法镀制得到在截面方向从试样上的一端至试样的另一端的厚度不均匀的多层薄膜，因此，限制了科研人员对在截面方向从试样上的一端至试样的另一端的厚度不均匀的多层薄膜的研究工作。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种非均匀多层薄膜的镀膜方法，本发明中，非均匀多层薄膜是指每一层薄膜在截面方向从试样上的一端至试样的另一端的厚度不均匀的多层薄膜，该方法可以镀制非均匀多层薄膜，为科研人员对非均匀多层薄膜的研究工作做铺垫。

为解决上述技术问题，本发明的一种非均匀多层薄膜的镀膜方法，包括如下步骤：

S1.将试样放入超声波清洗机中，用丙酮清洗试样；

S2.将试样放入真空干燥箱中干燥；

S3.将试样放入非均匀多层薄膜的镀膜设备的试样台上；

S4.镀制第一薄膜层：开启镀制第一薄膜层的靶材，设定镀制第一薄膜层的时间为T1，驱动机构驱动挡板位于全部遮挡试样表面的状态，所述试样具有第一边缘和第二边缘，第一边缘和第二边缘相对设置，第一边缘和第二边缘之间的距离为S，挡板的第一端与试样的第一边缘在竖直方向上对齐，驱动机构驱动挡板在试样的上方以速度V1沿第一方向移动，其中V1＝S/T1；

S5.镀制第二薄膜层：切换至镀制第二薄膜层的靶材，并且驱动机构驱动挡板位于全部遮挡试样表面的状态并且挡板的第二端与试样的第二边缘对齐，设定镀制第二薄膜层的时间为T2，驱动机构驱动挡板在试样的上方以速度V2沿第二方向移动，其中V2＝S/T2；