[发明专利]阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 201811238162.3 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109545823A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 方宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 金属走线 弯折 拉伸过程 显示面板 制备 布线空间 折断 拉伸 | ||
本发明提供阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板,本发明的优点在于,在纵向上提升所述金属走线的布线空间,延长金属走线的长度,避免金属走线在弯折拉伸过程中折断,提高所述阵列基板弯折拉伸过程中金属走线的可靠性,提高阵列基板的弯折拉伸性能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中,OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180度视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)。其中,AMOLED通常是由低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)驱动背板和电激发光层组成自发光组件。低温多晶硅具有较高的电子迁移率,对AMOLED而言,采用低温多晶硅材料具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点。
目前市场上小尺寸手机显示屏的主流方向是全面屏显示,随着人们对手机减薄可使用形态多元化的需求不断增强,可折叠手机会是显示产业发展的新方向和产能突破点。相对于目前我们所使用背板技术,可折叠手机提出的技术需求以及对产品的信赖性要求会更高。
LTPS背板技术直接转移到可折叠(foldable)产品上会产生背板脆裂、走线断裂的问题,且在弯折过程中还可能会出现漏电的情况,产品的可靠性较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板,其能够避免金属走线在弯折拉伸过程中折断,提高所述阵列基板弯折拉伸过程中金属走线的可靠性,提高阵列基板的弯折拉伸性能。
为了解决上述问题,本发明提供了一种阵列基板,包括至少一第一金属走线及位于所述第一金属走线上方的至少一第二金属走线,所述第一金属走线与所述第二金属走线彼此绝缘隔离,所述第一金属走线具有交替排列的多个第一凹部及多个第一凸部,所述第二金属走线具有交替排列的多个第二凹部及多个第二凸部。
在一实施例中,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第二金属走线的正投影交叉设置。
在一实施例中,所述阵列基板还包括至少一第三金属走线,所述第三金属走线位于所述第一金属走线上方及所述第二金属走线的下方,所述第三金属走线与所述第一金属走线及所述第二金属走线绝缘隔离,所述第三金属走线具有交替排列的多个第三凹部及多个第三凸部,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第三金属走线的正投影重合,所述第一凹部的正投影与所述第三凹部的正投影重合,所述第一凸部的正投影与所述第三凸部的正投影重合。
在一实施例中,所述第一金属走线为第一栅极扫描线,所述第二金属走线为数据线,所述第三金属走线为第二栅极扫描线。
在一实施例中,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第二金属走线的正投影重合,所述第一凹部的正投影与所述第二凹部的正投影重合,所述第一凸部的正投影与所述第二凸部的正投影重合。
在一实施例中,所述第一金属走线为第一栅极扫描线,所述第二金属走线为第二栅极扫描线。
在一实施例中,所述第一凹部及所述第一凸部沿所述第一金属走线的长度方向交替排列,所述第二凹部及所述第二凸部沿所述第二金属走线的长度方向交替排列。
在一实施例中,所述第一金属走线为Ti/Cu/Ti与Cu的复合层,所述第二金属走线为Ti/Cu/Ti与Cu的复合层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的