[发明专利]阵列基板、该阵列基板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 201811238162.3 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109545823A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 方宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 金属走线 弯折 拉伸过程 显示面板 制备 布线空间 折断 拉伸 | ||
1.一种阵列基板,包括至少一第一金属走线及位于所述第一金属走线上方的至少一第二金属走线,所述第一金属走线与所述第二金属走线彼此绝缘隔离,其特征在于,所述第一金属走线具有交替排列的多个第一凹部及多个第一凸部,所述第二金属走线具有交替排列的多个第二凹部及多个第二凸部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第二金属走线的正投影交叉设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括至少一第三金属走线,所述第三金属走线位于所述第一金属走线上方及所述第二金属走线的下方,所述第三金属走线与所述第一金属走线及所述第二金属走线绝缘隔离,所述第三金属走线具有交替排列的多个第三凹部及多个第三凸部,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第三金属走线的正投影重合,所述第一凹部的正投影与所述第三凹部的正投影重合,所述第一凸部的正投影与所述第三凸部的正投影重合。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为第一栅极扫描线,所述第二金属走线为数据线,所述第三金属走线为第二栅极扫描线。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在垂直所述阵列基板的方向,所述第一金属走线的正投影与所述第二金属走线的正投影重合,所述第一凹部的正投影与所述第二凹部的正投影重合,所述第一凸部的正投影与所述第二凸部的正投影重合。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为第一栅极扫描线,所述第二金属走线为第二栅极扫描线。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凹部及所述第一凸部沿所述第一金属走线的长度方向交替排列,所述第二凹部及所述第二凸部沿所述第二金属走线的长度方向交替排列。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为Ti/Cu/Ti与Cu的复合层,所述第二金属走线为Ti/Cu/Ti与Cu的复合层。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括一衬底、设置在所述衬底上的一有源层、覆盖所述有源层的一第一绝缘层及一有机发光层,第一金属走线设置在所述第一绝缘层上,在所述第一金属走线与所述第二金属走线之间设置有一第二绝缘层,所述有机发光层设置在所述第二金属走线上,并与所述第二金属走线电连接。
10.一种根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底,所述衬底的一表面具有一有源层;
在所述有源层的一表面及所述衬底的所述表面覆盖一第一绝缘层,所述第一绝缘层包括具有第一厚度的多个第一区域及具有第二厚度的多个第二区域,所述第一厚度小于所述第二厚度,所述第一区域与所述第二区域交替排列;
在所述第一绝缘层上形成所述第一金属走线,在所述第一绝缘层的所述第一区域,所述第一金属走线形成所述第一凹部,在所述第一绝缘层的所述第二区域,所述第一金属走线形成所述第一凸部;
在所述第一金属走线上形成一第二绝缘层,所述第二绝缘层包括具有第一厚度的多个第一区域及具有第二厚度的多个第二区域,所述第一厚度小于所述第二厚度,所述第一区域与所述第二区域交替排列;
在所述第二绝缘层上形成所述第二金属走线,在所述第二绝缘层的所述第一区域,所述第二金属走线形成所述第二凹部,在所述第二绝缘层的所述第二区域,所述第二金属走线形成所述第二凸部。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第二绝缘层的所述第一区域的正投影与所述第一金属走线的所述第一凹部的正投影错开设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的