[发明专利]N型双面太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N型双面太阳电池，其特征在于，电池正电极一侧依次为：电池正电极、氮化硅层、P型掺杂PolySi多晶硅层、第一二氧化硅钝化层、N型硅衬底；电池负电极一侧依次为：电池负电极、n型区域掺杂PolySi多晶硅层、本征PolySi多晶硅层、第二二氧化硅钝化层、N型硅衬底；其中，电池正电极穿过第一二氧化硅钝化层与P型掺杂PolySi多晶硅层形成欧姆接触，电池负电极穿过第二二氧化硅钝化层与n型区域掺杂PolySi多晶硅层形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的N型双面太阳电池，其特征在于，所述N型硅衬底覆盖有第一二氧化硅钝化层。

3.如权利要求1所述的N型双面太阳电池，其特征在于，所述P型掺杂PolySi多晶硅层覆盖有氮化硅层。

4.如权利要求1所述的N型双面太阳电池，其特征在于，所述本征PolySi多晶硅层钝化非金属接触区域。

5.一种如权利要求1所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

选择N型硅衬底，其电阻率在0.8Ω.cm到3.0Ω.cm之间，少子寿命大于1000us；

在所述N型硅衬底上进行700-950℃热生长二氧化硅钝化层；

在N型硅衬的背表面沉积本征多晶硅；

在所述本征多晶硅上沉积SiC掩膜层；

激光开槽所述SiC掩膜层，用低压管式扩散炉扩散磷源并形成N型掺杂多晶硅层；

清洗去除磷硅玻璃和所述SiC掩膜层后，在前表面700-950℃热生长二氧化硅钝化层；

在N型硅衬底的前表面沉积本征多晶硅；

在前表面沉积P型非晶硅薄膜，采用激光掺杂形成P型多晶硅膜层；

清洗去除非晶硅薄膜及损伤层；

沉积前背面氮化硅薄膜；

制作电池的正极和负极；

烧结。

6.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述N型硅衬底上进行700-950℃热生长二氧化硅钝化层步骤前，对所述N型硅衬底表面进行双面抛光，制绒并进行化学清洗。

7.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，采用PECVD在所述本征多晶硅上沉积SiC掩膜层。

8.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，在前表面用PECVD沉积P型非晶硅薄膜，采用激光掺杂形成P型多晶硅膜层。

9.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，采用355nm的UV激光在N型硅衬底的背表面开槽，去除本征非晶SiC，开槽的宽度在100nm到300nm。

10.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，用355nm的UV激光在N型衬底背表面进行激光掺杂。

11.如权利要求5所述的N型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，在N型硅衬底的背表面沉积本征非晶硅和P型非晶硅的方法为：在180℃～250℃的温度下生长10nm～20nm的本征非晶硅，制备非晶硅的气体是SiH4和H2，SiH4和H2的比例为1:10～1:1，然后在180℃～250℃的温度下生长10nm～25nm的P型非晶硅，制备P型非晶硅气体为SiH4、H2和TMB(B(CH3)3；SiH4和H2的比例为1:10～1:200，SiH4和TMB的比例为1:1～1:4。