[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法

说明书

本公开涉及半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法。提供一种能够存储多值数据同时抑制为存储器单元设置的阈值电压的增加的半导体存储器器件。根据实施例的半导体存储器器件包括多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，而第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压。存储在存储器单元对中的数据使用第二存储器单元的阈值电压和第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。

相关申请的交叉引用

于2017年11月9日提交的日本专利申请No.2017-216152的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体存储器器件和在半导体存储器器件中定义数据的方法，并且涉及例如能够存储多值数据的半导体存储器器件和在半导体存储器器件中定义数据的方法。

背景技术

近年来，闪存存储器经常被用作非易失性半导体存储器器件。多值处理技术被用作用于实现大容量闪存存储器的技术。日本未审查专利申请公开No.2001-101879公开了通过在存储器单元中设置多个阈值电压而在存储器单元中存储多值数据的技术。

发明内容

在日本未审查专利申请公开No.2001-101879中公开的技术中，单个存储器单元中的可能的阈值电压的范围被划分为多个区域，并且不同的数据段被分配给相应的区域，从而在单个存储器单元中存储多值数据。

在这种情况下，存储器单元中的阈值电压由于例如随着时间推移的放电而从初始值改变。因此，为了确保数据的唯一性，需要扩展具有分配数据的阈值电压的范围，以便防止阈值电压进入其它数据区域。

但是，如果扩展了具有分配数据的阈值电压的范围，则会不利地增加为存储器单元设置的阈值电压的值。

其它问题和新特征将通过本说明书的描述和附图阐明。

根据实施例的半导体存储器器件包括多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，而第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压。存储在存储器单元对中的数据使用第二存储器单元的阈值电压和第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。

实施例可以提供能够存储多值数据同时抑制为存储器单元设置的阈值电压的增加的半导体存储器器件，以及在半导体存储器器件中定义数据的方法。

附图说明

图1示出了根据相关技术的半导体存储器器件中的数据定义的示例；

图2示出了根据相关技术的半导体存储器器件中的数据定义的示例；

图3是示出根据相关技术的半导体存储器器件中的数据定义的示例的表；

图4示出了根据第一实施例的半导体存储器器件中的数据定义的示例；

图5示出了根据第一实施例的半导体存储器器件中的数据定义的示例；

图6是示出根据第一实施例的半导体存储器器件中的数据定义的示例的表；

图7示出了为存储器单元定义的数据段的数量与所需电压范围之间的关系的模拟结果；

图8是示出根据第一实施例的半导体存储器器件的构造示例的框图；

图9是示出根据第一实施例的半导体存储器器件中包括的存储器控制器的构造示例的框图；

图10是示出根据第一实施例的半导体存储器器件中的数据定义的示例的表；

图11是示出根据第一实施例的半导体存储器器件中的数据写入的序列的流程图；