[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括多个存储器单元，

其中存储器单元具有多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元，

其中所述第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，

其中所述第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压，以及

其中存储在存储器单元对中的数据使用所述第二存储器单元的阈值电压和所述第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。

2.如权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元被配置为设置第一阈值电压，

其中所述第二存储器单元被配置为将第二至第四阈值电压设置为阈值电压，以及

其中存储在存储器单元对中的数据使用第二阈值电压和第一阈值电压之间的差、第三阈值电压和第一阈值电压之间的差以及第四阈值电压和第一阈值电压之间的差来定义。

3.如权利要求2所述的半导体存储器器件，

其中第一至第四阈值电压被设置为以第一阈值电压、第二阈值电压、第三阈值电压和第四阈值电压的顺序增加，以及

其中电压差被设置为以第二阈值电压和第一阈值电压之间的差、第三阈值电压和第二阈值电压之间的差以及第四阈值电压和第三阈值电压之间的差的顺序增加。

4.如权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元被配置为设置参考阈值电压和多个阈值电压，

其中所述第二存储器单元被配置为设置参考阈值电压和多个阈值电压，以及

其中存储在存储器单元对中的数据使用所述第二存储器单元的阈值电压和所述第一存储器单元的参考阈值电压之间的差以及所述第一存储器单元的阈值电压和所述第二存储器单元的参考阈值电压之间的差来定义。

5.如权利要求4所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元被配置为将第一阈值电压设置为参考阈值电压，并将第二至第四阈值电压设置为阈值电压，

其中所述第二存储器单元被配置为将第五阈值电压设置为参考阈值电压，并将第六至第八阈值电压设置为阈值电压，以及

其中存储在存储器单元对中的数据使用第六阈值电压和第一阈值电压之间的差、第七阈值电压和第一阈值电压之间的差、第八阈值电压和第一阈值电压之间的差、第二阈值电压和第五阈值电压之间的差、第三阈值电压和第五阈值电压之间的差以及第四阈值电压和第五阈值电压之间的差来定义。

6.如权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元各自被配置为设置多个阈值电压，

其中存储在存储器单元对中的数据使用使用所述第一存储器单元的阈值电压和所述第二存储器单元的阈值电压计算出的阈值电压差来定义。

7.如权利要求6所述的半导体存储器器件，

其中存储在存储器单元对中的数据使用阈值电压的和来进一步定义，所述和使用所述第一存储器单元的阈值电压和所述第二存储器单元的阈值电压来计算。

8.如权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值电压都是正值或负值。

9.如权利要求1所述的半导体存储器器件，

其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的一个存储器单元的阈值电压是正值，并且另一个存储器单元的阈值电压是负值。

10.如权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

阈值电压检测部件，其检测存储器单元的阈值电压；以及

存储器控制器，其控制存储器单元，

其中，所述存储器控制器通过使用所述第二存储器单元的阈值电压和所述第一存储器单元的阈值电压之间的差来读取存储在存储器单元对中的数据，阈值电压由所述阈值电压检测部件来检测。