[发明专利]D触发器控制电路及方法、D触发器在审

专利信息
申请号: 201811230417.1 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN111082782A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 范习安 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H03K3/356 分类号: H03K3/356
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 触发器 控制电路 方法
【说明书】:

发明公开了一种D触发器控制电路及方法、D触发器,涉及集成电路技术领域。该D触发器控制电路包括第一控制信号产生单元、第二控制信号产生单元和开关元件;第一控制信号产生单元的输出端与开关元件的控制端连接;第二控制信号产生单元的输出端与开关元件的第一端连接;开关元件的第二端与锁存电路连接。本公开的D触发器控制电路既可以实现D触发器清零又可以实现D触发器置1,且无需对电路结构进行较多的改变。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域,具体而言,涉及一种D触发器控制电路、D触发器控制方法和D触发器。

背景技术

触发器作为数字系统中重要的组成部分,影响着系统的各项性能,如面积、功耗、速度等。D触发器是最常用的触发器之一,其在集成电路设计中发挥着重要的作用。

针对D触发器的置位和复位,目前,通常采用PMOS管上拉和/或NMOS管下拉的方式。具体的,在PMOS管上拉的场景中,仅能实现D触发器的控制效果为置1;在NMOS管下拉的场景中,仅能实现D触发器的控制效果为清零。如果使电路既具有清零又具有置1的控制效果,则需要同时使用PMOS管进行上拉操作和使用NMOS管进行下拉操作。然而,在这种情况下,使用了两个MOS管,增加了芯片面积。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种D触发器控制电路、D触发器控制方法和D触发器,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的无法较好地实现同时具有清零和置1功能的D触发器。

根据本公开的一个方面,提供一种D触发器控制电路,D触发器控制电路包括第一控制信号产生单元、第二控制信号产生单元和开关元件;第一控制信号产生单元的输出端与开关元件的控制端连接;第二控制信号产生单元的输出端与开关元件的第一端连接;开关元件的第二端与锁存电路连接。

在本公开的一种示例性实施例中,开关元件包括NMOS管。

在本公开的一种示例性实施例中,当第一控制信号产生单元输出高电平时,如果第二控制信号为高电平,NMOS管开启,则D触发器置1;如果第二控制信号为低电平,则D触发器清零。

根据本公开的一个方面,提供一种D触发器,包括上述D触发器控制电路。

在本公开的一种示例性实施例中,锁存电路包括第一锁存单元和第二锁存单元;其中,开关元件的第二端连接于第一锁存单元与第二锁存单元之间。

在本公开的一种示例性实施例中,开关元件包括NMOS管。

在本公开的一种示例性实施例中,当第一控制信号产生单元输出高电平时,如果第二控制信号为高电平,NMOS管开启,则D触发器置1;如果第二控制信号为低电平,则D触发器清零。

根据本公开的一个方面,提供一种D触发器控制方法,包括:开关元件的控制端接收第一控制信号,以使开关元件开启;开关元件的第一端接收第二控制信号,以基于第二控制信号对D触发器进行控制。

在本公开的一种示例性实施例中,开关元件包括NMOS管。

在本公开的一种示例性实施例中,当第一控制信号为高电平时,如果第二控制信号为高电平,NMOS管开启,则D触发器置1;如果第二控制信号为低电平,则D触发器清零。

在本公开的一些实施例所提供的技术方案中,将开关元件的一端作为第二控制信号的输入端,一方面,在第一控制信号使能的情况下,可以根据第二控制信号确定出D触发器的控制效果;另一方面,可以预设第二控制信号,以达到预设控制效果的目的;又一方面,相比于相关技术采用两个MOS管的方案,本公开的方案可以减少芯片面积;再一方面,本公开的控制电路结构简单,可以利用该控制电路进行复杂的逻辑电路设计,以满足不同的需求。

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