[发明专利]D触发器控制电路及方法、D触发器在审
| 申请号： | 201811230417.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111082782A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 范习安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触发器 控制电路 方法 | ||
1.一种D触发器控制电路，其特征在于，所述D触发器控制电路包括第一控制信号产生单元、第二控制信号产生单元和开关元件；
所述第一控制信号产生单元的输出端与所述开关元件的控制端连接；
所述第二控制信号产生单元的输出端与所述开关元件的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的D触发器控制电路，其特征在于，所述开关元件包括NMOS管。
3.根据权利要求2所述的D触发器控制电路，其特征在于，当所述第一控制信号产生单元输出高电平时，如果第二控制信号为高电平，所述NMOS管开启，则D触发器置1；如果第二控制信号为低电平，则D触发器清零。
4.一种D触发器，其特征在于，包括权利要求1所述的D触发器控制电路。
5.根据权利要求4所述的D触发器，其特征在于，还包括锁存电路，所述锁存电路包括第一锁存单元和第二锁存单元；
其中，所述开关元件的第二端连接于所述第一锁存单元与所述第二锁存单元之间。
6.根据权利要求4或5所述的D触发器，其特征在于，所述开关元件包括NMOS管。
7.根据权利要求6所述的D触发器，其特征在于，当所述第一控制信号产生单元输出高电平时，如果第二控制信号为高电平，所述NMOS管开启，则D触发器置1；如果第二控制信号为低电平，则D触发器清零。
8.一种D触发器控制方法，其特征在于，包括：
开关元件的控制端接收第一控制信号，以使所述开关元件开启；
所述开关元件的第一端接收第二控制信号，以基于所述第二控制信号对D触发器进行控制。
9.根据权利要求8所述的D触发器控制方法，其特征在于，所述开关元件包括NMOS管。
10.根据权利要求9所述的D触发器控制方法，其特征在于，当所述第一控制信号为高电平时，如果第二控制信号为高电平，所述NMOS管开启，则D触发器置1；如果第二控制信号为低电平，则D触发器清零。
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