[发明专利]一种CMP后清洗方法

说明书

本发明一实施方式提供了一种CMP后清洗方法，包括将PVA清洗刷在浸泡液中进行浸泡处理；以及使用浸泡后的PVA清洗刷对晶片进行清洗；其中，所述浸泡液为四甲基氢氧化铵和NH₃·H₂O的混合溶液。本发明一实施方式的方法，通过浸泡液对PVA清洗刷进行处理，可使PVA清洗刷表面的ζ‑电位为负，而污染物颗粒表面也带负电，电性相反可以避免颗粒物粘附在清洗刷表面对晶片造成二次污染。

技术领域

本发明涉及化学机械研磨(CMP)后的清洗，具体为一种CMP后清洗方法。

背景技术

晶片制造中，随着图形尺寸的缩小和堆叠层数的增加，越先进的工艺就需要更多的CMP步骤。但CMP由于用到研磨液等耗材，研磨结束后往往会有纳米级的颗粒和残留黏附在晶片表面，这些污染物需在晶片进入下一步制造工艺前移除掉，以避免对后续工艺产生不利影响。

目前，被业界广泛接受的方法是在CMP后清洗中使用PVA刷对晶片表面进行清洗，通过调节刷子的间距和转速，使刷子与晶片表面直接接触，用物理力的方式把表面的颗粒物带走，以达到清洗效果。

然而，通过物理接触去除晶片表面颗粒和残留的方式，可能会使污染物附着在刷子上，对晶片造成二次污染。

发明内容

本发明的一个主要目的在提供一种CMP后清洗方法，包括将PVA清洗刷在浸泡液中进行浸泡处理；以及使用浸泡后的PVA清洗刷对晶片进行清洗；其中，所述浸泡液为四甲基氢氧化铵和NH₃·H₂O的混合溶液。

根据本发明一实施方式，所述浸泡液中，四甲基氢氧化铵的质量百分含量为0.030～0.033％。

根据本发明一实施方式，所述浸泡液中，四甲基氢氧化铵的质量百分含量为0.0315％。

根据本发明一实施方式，所述浸泡液中，NH₃·H₂O的质量百分含量为0.95～1.05％。

根据本发明一实施方式，所述浸泡液中，NH₃·H₂O的质量百分含量为1％。

根据本发明一实施方式，所述浸泡处理的时间为30分钟～1.5小时。

根据本发明一实施方式，所述浸泡处理的时间为1小时。

本发明一实施方式的方法，通过浸泡液对PVA清洗刷进行处理，可使PVA清洗刷表面的ζ-电位为负，而污染物颗粒表面也带负电，电性相反可以避免颗粒物粘附在清洗刷表面对晶片造成二次污染。

附图说明

通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施例的详细说明，本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：

图1A为未经处理的PVA清洗刷清洗晶片时的结构示意图；

图1B为本发明一实施方式的经浸泡处理的PVA清洗刷清洗晶片时的结构示意图；

图2A为经图1A的清洗刷清洗后的晶片表面的结构示意图；

图2B为经图1B的清洗刷清洗后的晶片表面的结构示意图；

图3为本发明一实施方式的经浸泡处理的PVA清洗刷的结构示意图；

图4A为图1A的清洗刷清洗后的示意图；

图4B为图1B的清洗刷清洗后的示意图；

图5为本发明实施例1、对比例1至3的接触角测试图；

图6A为应用例中未经浸泡处理的清洗刷的出水量稳定性图；