[发明专利]一种CMP后清洗方法在审
| 申请号： | 201811229584.4 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111069115A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 姬颖伦;蔡长益 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | B08B1/02 | 分类号： | B08B1/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMP后清洗方法，包括：
将PVA清洗刷在浸泡液中进行浸泡处理；以及
使用浸泡后的PVA清洗刷对晶片进行清洗；
其中，所述浸泡液为四甲基氢氧化铵和NH3·H2O的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述浸泡液中，四甲基氢氧化铵的质量百分含量为0.030～0.033％。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述浸泡液中，四甲基氢氧化铵的质量百分含量为0.0315％。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述浸泡液中，NH3·H2O的质量百分含量为0.95～1.05％。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述浸泡液中，NH3·H2O的质量百分含量为1％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述浸泡处理的时间为30分钟～1.5小时。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述浸泡处理的时间为1小时。
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