[发明专利]双面扇出型系统级封装结构有效
| 申请号: | 201811228748.1 | 申请日: | 2018-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN111063663B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
| 发明(设计)人: | 潘吉良;李念庭 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面 扇出型 系统 封装 结构 | ||
1.一种双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,包括:
一第一重布线层,于一第一介电本体内形成有多个第一连接线,该第一介电本体的一侧形成有多个内接点,另一相对侧形成有多个外接垫,并通过该些第一连接线与该些内接点电性连接;
一逻辑芯片,包含一第一有源面及一相对该第一有源面的一第一背面,该第一有源面包含有多个接点;其中该些接点分别电性连接于该第一重布线层的对应内接点,且该芯片形成有多个第一硅穿孔,各该第一硅穿孔的第一端与对应的该接点电性连接,而各该第一硅穿孔的第二端外露于该第一背面;
至少一储存芯片组,各该储存芯片组包含有一第二有源面及一相对该第二有源面的一第二背面;并进一步包含:
一控制芯片,其背面固定在该第一重布线层,其中该控制芯片的背面为该储存芯片组的第二背面;以及
多个储存芯片,堆叠设置于该控制芯片上,各该储存芯片包含有一有源面及多个第二硅穿孔,以与相邻储存芯片及该控制芯片电性连接,其中相对位在最外的该储存芯片的该有源面即是该储存芯片组的第二有源面;
一封胶层,形成于该第一重布线层上并包覆该逻辑芯片及各该储存芯片组;其中该逻辑芯片的各该第一硅穿孔的第二端及各该储存芯片组的第二有源面外露于该封胶层;以及
一第二重布线层,共同形成于该封胶层、该逻辑芯片的第一背面及各该储存芯片组的第二有源面上,以与该逻辑芯片的各该第一硅穿孔的第二端及各该储存芯片组的第二有源面电性连接。
2.如权利要求1所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,各该储存芯片组的第二背面以一黏着层固定于该第一重布线层上。
3.如权利要求2所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,进一步包含有:
一无源元件,其第三背面固定于该第一重布线层上,且其多个金属接点与该第二重布线层电性连接,或该第三背面固定于该第二重布线层内侧面,且其多个金属接点与该第一重布线层电性连接。
4.如权利要求1或2所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该逻辑芯片的该第一背面与各该储存芯片组的该第二有源面齐平。
5.如权利要求1所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该逻辑芯片的高度与各该储存芯片组的高度相同。
6.如权利要求3所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该无源元件与该逻辑芯片与各该储存芯片组共平面。
7.如权利要求3所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该逻辑芯片的高度、各该储存芯片组的高度与该无源元件的高度相同。
8.如权利要求1所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该第二重布线层包含有一第二介电本体,该第二介电本体内形成有多个第二连接线,以电性连接该逻辑芯片的各该第一硅穿孔的第二端与各该储存芯片组的第二有源面。
9.如权利要求3、6或7所述的双面扇出型多芯片封装结构,其特征在于,该无源元件为一去耦合电容元件。
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