[发明专利]一种自旋阀型磁阻复合材料CoFe2

说明书

本发明公开了一种自旋阀型磁阻复合材料CoFe₂O₄‑Fe₃O₄的简易合成方法，使用纳米磁性氧化铁γ‑Fe₂O₃和CoO为原料，将干燥后的纳米磁性氧化铁γ‑Fe₂O₃加入酒精后球磨，再将干燥后的CoO与纳米磁性氧化铁γ‑Fe₂O₃混合，球磨、压片，并在氩气气氛下烧结成型，最后随炉冷却至室温即制得一系列自旋阀型磁阻复合材料CoFe₂O₄‑Fe₃O₄。本发明所需的设备和制备过程简易，重复性较高且自旋阀型磁阻性能优越。

技术领域

本发明属于磁阻复合材料的合成技术领域，具体涉及一种自旋阀型磁阻复合材料CoFe₂O₄-Fe₃O₄的简易合成方法。

背景技术

磁电阻(MR)效应是指导体或半导体在磁场作用下其电阻值发生变化的现象。Thomson 于1857年发现了铁磁晶体的各向异性磁电阻效应(AnisotropicMagnetoresistance，AMR；Thomson W.Effects of magnetization on the electricconductivity of Nickel and of Iron.Proc. Roy.Soc.1857,8:546-550)。1988年法国巴黎大学Fert研究小组M.N.Baibich等人开展了有关Fe/Cr超晶格的物性研究，该研究最终导致了GMR效应的发现(Baibich M N,Broto J M,Fert A,et al.Giant magnetoresistanceof(001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices.Phys.Rev. Lett.1988,61:2472-2475)。1991年，美国IBM实验室的B.Dieny独辟蹊径，利用反铁磁与铁磁之间的层间交换耦合，有效抑制了Barkhausen噪声，并根据多层膜巨磁电阻效应来源于最简单重复周期的磁电阻效应，提出了铁磁层/非磁隔离层/铁磁层/反铁磁层自旋阀 (Spin Valve，SV)结构(Dieny B,Speriosu V S,Parkin S S P,et al.Gaint magnetoresistance in soft ferromagneticmultilayers.Phys.Rev.B.1991,43:1297-1300)。从本质上说，零磁阻状态的偏离可以认为是由晶界材料控制的，这被认为是由一个像自旋阀一样起作用的硬磁绝缘体，这种新型机制被称为自旋阀式磁阻(SVMR)。自旋阀磁电阻(SVMR)由于其低场磁行为，已成为新一代磁记录、高密度读出磁头、自旋晶体管等自旋电子器件的首选方案。因此，探索、改进并设计出一种工艺简单的自旋阀型磁阻(SVMR)复合材料的合成方法显得尤为重要。