[发明专利]半导体发光元件

说明书

本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。

本申请是申请号为201310595821.X、申请日为2013年11月22日、发明名称为“半导体发光元件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件的结构。

背景技术

发光二极管(Light-emitting Diode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图5所示，LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以相当分量的主动层1106被移除，导致发光效率降低。

此外，上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图6为现有的发光装置结构示意图，如图6所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。

附图说明

图1A为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构I的示意图；

图1B为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构I的上视图；

图2为依本发明第二实施例的半导体发光元件结构II的示意图；

图3为依本发明第三实施例的半导体发光元件结构III的示意图；

图4A至图4D为本发明的半导体发光元件的制作工艺示意图；

图5为现有的LED的剖视图；

图6为现有的发光装置结构示意图；

图7为依本发明另一实施例的结构示意图；

图8A为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构IV的示意图；

图8B为依本发明第一实施例的半导体发光元件结构IV的上视图。

符号说明

1 半导体叠层 53 第二焊接部

10 主动层 54 接触结构