[发明专利]一种半片多晶太阳电池的制备方法

说明书

本发明提供了一种半片多晶太阳电池的制备方法。它解决了现有制造方法的步骤过于简单，无法保证半电池片的质量，产品质量差等技术问题。本半片多晶太阳电池的制备方法，包括如下步骤：a、对外购的硅片进行清洗和检测；b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒；c、将石英舟放入扩散炉中进行扩散；d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀；e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡；f、将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜；g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷；h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结；i、将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化；j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割。本发明具有产品质量好的优点。

技术领域

本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种半片多晶太阳电池的制备方法。

背景技术

半片就是将电池进行1/2切割后的组件封装的技术，本质上是降低了单张电池片的内阻，既可以用来封装多晶、也可以用来封装单晶组件。半片电池与“标准的”全电池相比具有许多优点，最主要的优势在于减少了电池到组件的功率输出损耗。

经检索，如中国专利文献公开了一种半电池片的制造方法【申请号：201710305225.1；公开号：CN 107195727A】。这种半电池片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：半电池片图形设计，所述半电池片图形沿电池片的中线对称；步骤二：将经过湿法制绒-磷扩散-湿法刻蚀-去PSG-PECVD镀膜处理的多晶硅片采用所述半电池片图形进行丝网印刷和烧结制得电池片；步骤三：将步骤二制得的电池片沿着中线进行激光切割，并对所述激光切割后形成的直角进行倒角，制得半电池片。

该专利中公开的制造方法虽然容易操作，但是，该制造方法的步骤过于简单，无法保证半电池片的质量，产品质量差，因此，设计出一种半片多晶太阳电池的制备方法是很有必要的。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种半片多晶太阳电池的制备方法，该制备方法具有产品质量好的特点。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种半片多晶太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、对外购的硅片进行清洗和检测，去除不合格硅片；

b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒；

c、将制绒好的硅片放到石英舟内，将石英舟放入扩散炉中进行扩散；

d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀；

e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡，浸泡时间为20-30min，去除硅片表面的磷硅玻璃；

f、将浸泡好的硅片放到石墨舟内，将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜，使其形成三层减反射膜；

g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷；

h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结，得到电池片；

i、将200-400片的电池片同方向叠放到将硅片篮内，将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化；

j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割，使电池片一分为两，即可得到成品的半片多晶太阳电池。

所述步骤a中的清洗过程为：将硅片先放入氢氧化钠溶液中浸泡10-20min，然后放入硝酸溶液中浸泡15-25min，最后放入氢氟酸溶液中浸泡5-10min。

所述步骤f中的三层减反射膜的总厚度为90-110nm。