[发明专利]固态图像拾取元件和图像拾取系统在审
申请号: | 201811226086.4 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN109378321A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 小野俊明;板桥政次;稻谷直树;前桥雄;高桥秀和 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/217;H04N5/3745 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态图像拾取元件 光电转换单元 像素电极 像素 图像拾取系统 光电转换层 对电极 二维方式 微透镜 | ||
本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元,该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中,所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
本申请是基于申请号为201510463215.1、申请日为2015年7月31日、发明名称为“固态图像拾取元件和图像拾取系统”的专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及其中光电转换层被设置在基板上的至少一个固态图像拾取元件和至少一个图像拾取系统。
背景技术
存在包括包含其中光电转换层被设置在基板上的光接收器的像素的固态图像拾取元件。日本专利公开No.2014-67948描述了使用有机光电转换层作为光电转换层的技术。并且,日本专利公开No.2014-67948描述了提供一对相位差检测像素以实现光瞳分割相位差检测的技术。相位差检测像素具有阻挡入射光的一部分并且被设置在光电转换层上的保护层与微透镜之间的遮光膜。
然而,根据在日本专利公开No.2014-67948中描述的技术,相位差检测像素的位置被固定,并因此用于实现相位差检测的测距点的位置被固定。因此,本公开针对的是容易地改变相位差检测像素的位置。
发明内容
根据本公开的一方面的固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元,该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极(counter electrode)之间的所述对电极。在一个或多个实施例中,通过一个微透镜收集的光进入所述多个光电转换单元。在一个或多个实施例中,所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
根据本公开的另一方面的固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含光电转换单元,并且还包含设置在光电转换单元上的微透镜,该光电转换单元包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。包含在所述多个像素中的每一个中的像素电极和对电极中的至少一个包含可彼此独立地控制的多个部分电极(partial electrode)。
从以下参照附图的示例性实施例的描述,本公开的进一步特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的固态图像拾取元件的示例配置的框图。
图2是示出根据第一实施例的像素的截面结构的示例的示图。
图3是示出根据第一实施例的像素的示例配置的等效电路图。
图4是示出光电转换单元的电势并且描述根据第一实施例的信号读取操作的示图。
图5是示出光电转换单元的电势并且描述根据第一实施例的电荷排出操作的示图。
图6是用于描述根据第一实施例的固态图像拾取元件的操作的定时图。
图7是示出根据第二实施例的像素阵列的配置的示图。
图8是示出根据第三实施例的固态图像拾取元件的示例配置的框图。
图9是示出根据第三实施例的像素的示例配置的等效电路图。
图10是示出根据第三实施例的像素的截面结构的示例的示图。
图11是用于描述根据第三实施例的固态图像拾取元件的操作的定时图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的