[发明专利]固态图像拾取元件和图像拾取系统在审
申请号: | 201811226086.4 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN109378321A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 小野俊明;板桥政次;稻谷直树;前桥雄;高桥秀和 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/217;H04N5/3745 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态图像拾取元件 光电转换单元 像素电极 像素 图像拾取系统 光电转换层 对电极 二维方式 微透镜 | ||
1.一种光电转换元件,包括:
光电转换单元,所述光电转换单元包括多个像素电极、对电极以及光电转换层,所述对电极在平面图中与所述多个像素电极重叠,所述光电转换层被设置在所述多个像素电极与对电极之间;
微透镜,所述微透镜在平面图中与所述多个像素电极重叠;以及
电极结构,所述电极结构在所述光电转换单元与基板之间包括第一电极层、第二电极层、第三电极层、第一绝缘膜以及第二绝缘膜,所述第一绝缘膜被设置在所述第一电极层与第二电极层之间,所述第二绝缘膜被设置在所述第二电极层与第三电极层之间;
其中,在平面图中,设置在所述第一电极层中的第一电极与设置在所述第二电极层中的第二电极重叠,并且
其中,所述第一绝缘膜比所述第二绝缘膜薄。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,
其中,在所述基板上设置放大晶体管,并且
其中,所述放大晶体管的栅极电连接到所述第一电极。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,
其中,所述第二电极层与基板之间的距离大于所述第三电极层与基板之间的距离。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件,
其中,所述第一电极层与基板之间的距离大于所述第二电极层与基板之间的距离。
5.根据权利要求4所述的光电转换元件,
其中,在所述第三电极层与第二电极层之间没有其它的电极层被设置。
6.根据权利要求3所述的光电转换元件,
其中,所述电极结构包括第四电极层,并且
其中,所述第四电极层被设置在所述第三电极层与基板之间。
7.根据权利要求1所述的光电转换元件,
其中,固定的电势被供给到所述第二电极。
8.根据权利要求7所述的光电转换元件,
其中,所述固定的电势是接地电势。
9.根据权利要求2所述的光电转换元件,
其中,所述多个像素电极包括第一像素电极和第二像素电极,
其中,所述放大晶体管是第一放大晶体管,并且
其中,从所述第一像素电极输出的信号和从所述第二像素电极输出的信号被输入到所述第一放大晶体管中。
10.根据权利要求2所述的光电转换元件,
其中,所述多个像素电极包括第一像素电极和第二像素电极,
其中,所述放大晶体管包括第一放大晶体管和第二放大晶体管,
其中,从所述第一像素电极输出的信号被输入到所述第一放大晶体管中,并且
其中,从所述第二像素电极输出的信号被输入到所述第二放大晶体管中。
11.根据权利要求1所述的光电转换元件,还包括:
滤色器,所述滤色器被设置在所述对电极与微透镜之间。
12.根据权利要求1所述的光电转换元件,
其中,所述光电转换层由本征氢化非晶硅、化合物半导体和有机半导体中的任一个构成。
13.一种光电转换元件,包括:
根据权利要求1所述的光电转换元件;
光学系统,所述光学系统被配置为在多个像素上形成图像;以及
视频信号处理器,所述视频信号处理器被配置为对从所述光电转换元件输出的信号进行处理以产生图像数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的