[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811224425.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109698134B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 大月高实 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具有阻挡层，该阻挡层设置为在金属图案之上具有开口部，
所述阻挡层具有向所述开口部内凸出的凸起部，
该半导体装置还具有：
半导体元件，其外形尺寸小于所述开口部的除了所述凸起部以外的外形尺寸；以及
焊料，其设置在所述开口部内，将所述金属图案和所述半导体元件接合，
所述阻挡层具有多个所述凸起部，多个所述凸起部在俯视观察时与所述半导体元件重叠，且对所述半导体元件的厚度方向进行限制，
多个所述凸起部的至少一个与所述半导体元件直接接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述开口部为四边形，
所述阻挡层在所述开口部的各边至少具有1个所述凸起部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述开口部为四边形，
所述阻挡层在所述开口部的至少2个角各自具有所述凸起部。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述开口部为四边形，
所述阻挡层在所述开口部的至少2个角各自具有所述凸起部。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述凸起部为对所述开口部的内侧的角进行了倒角的形状。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述凸起部为对所述开口部的内侧的角进行了倒角的形状。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件在与所述焊料接合的面至少具有1个控制电极焊盘，
所述阻挡层至少具有在俯视观察时与所述控制电极焊盘重叠的所述凸起部。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件具有发热区域和将该发热区域包围的非发热区域，
所述阻挡层具有在俯视观察时与所述非发热区域重叠的所述凸起部，
在所述凸起部的凸出方向上，所述凸起部与所述非发热区域在俯视观察时重叠的距离比所述非发热区域的距离短。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件具有发热区域和将该发热区域包围的非发热区域，
所述阻挡层具有在俯视观察时与所述非发热区域重叠的所述凸起部，
在所述凸起部的凸出方向上，所述凸起部与所述非发热区域在俯视观察时重叠的距离比所述非发热区域的距离短。
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