[发明专利]基板处理装置及其组件

说明书

提供了一种基板处理装置及其组件。该基板处理装置包括腔室，在该腔室中具有处理空间；支承单元，其在处理空间内支承基板；气体供应单元，其向处理空间中供应工艺气体，以及等离子源，其激发处理空间内的工艺气体。支承单元包括支承板，基板放置在该支撑板上；以及边缘环，其具有环形形状，该边缘环围绕支承板设置，并且在该边缘环的上部形成有涂层，该涂层具有在β‑碳化硅(β‑SiC)晶体的<111>晶向上优选取向生长的碳化硅晶体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月20日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0136463的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

在本文中描述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理装置及其组件。

背景技术

为了制造半导体设备，通过不同的工艺在基板上形成期望的图案，例如光刻、刻蚀、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁工艺。在这些工艺中，刻蚀工艺用于从形成在基板上的层中去除选定的加热区域，该刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺。

其中，对于干法刻蚀，使用利用等离子体的刻蚀设备。通常，在腔室的内部空间形成电场以形成等离子体。电场激发腔室中提供的工艺气体使其处于等离子状态。

等离子体指的是气体电离的状态，包括离子、电子和自由基。由于相当高的温度、强的电场、或射频电磁场而生成等离子体。半导体设备的制造工艺包括使用等离子体的刻蚀工艺。当包含在等离子体中的离子粒子与基板碰撞时，执行刻蚀工艺。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种具有长寿命的组件和包括该组件的基板处理装置。

根据一示例性的实施例，基板处理装置可包括腔室，在该腔室中具有处理空间；支承单元，其在处理空间内支承基板；气体供应单元，其向处理空间供应工艺气体，以及等离子源，其激发处理空间内的工艺气体。支承单元可包括支承板，基板放置在该支承板上，以及边缘环，其具有环形形状，该边缘环围绕支承板设置，并且在的该边缘环的上部形成有涂层，该涂层具有在β-碳化硅(β-SiC)晶体的<111>晶向上优选取向生长的碳化硅晶体。

在涂层中，<111>晶向占90％或更多。

涂层可具有2μm或更小的晶粒尺寸。

根据本发明构思的另一方面，一种基板处理装置可包括腔室，在该腔室中具有处理空间；支承单元，其在处理空间内支承基板；气体供应单元，其向处理空间供应工艺气体，以及等离子源，其激发处理空间内的工艺气体。支承单元可包括支承板，基板放置该支承板上，以及边缘环，其具有环形形状，该边缘环围绕支承板设置，并且在该边缘环的上部形成有涂层，该涂层具有2μm的晶粒尺寸。

根据本发明构思的又一方面，一种使用等离子体的基板处理装置的组件可包括基部，以及涂层，其形成在基部上，并且具有抗等离子体性。涂层具有在β-碳化硅(β-SiC)晶体的<111>晶向上优选取向生长的碳化硅晶体。

此外，在该涂层中，具有<111>晶向的晶体占涂层的总晶体的90％或更多。

该涂层具有2μm或更小的晶粒尺寸。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明构思的上述和其他的目的和特征将变得显而易见。

图1为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理装置的图；和

图2为部分的放大图，在图1中边缘环放置在该部分中。

具体实施方式