[发明专利]基板处理装置及其组件在审
| 申请号： | 201811224323.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109698108A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 韩有东;梁大贤 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455;C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 车今智 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理空间 基板处理装置 边缘环 支承单元 支承板 腔室 供应工艺气体 气体供应单元 碳化硅晶体 等离子源 工艺气体 环形形状 基板放置 取向生长 晶体的 内支承 碳化硅 支撑板 基板 优选 激发 | ||
1.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
支承单元，其在所述处理空间内支承基板；
气体供应单元，其向所述处理空间供应工艺气体；以及
等离子源，其激发所述处理空间内的所述工艺气体，
其中，所述支承单元包括：
支承板，所述基板放置在所述支承板上；以及
边缘环，其具有环形形状，所述边缘环围绕所述支承板设置，并且在所述边缘环的上部形成有涂层，所述涂层具有在β-碳化硅(β-SiC)晶体的<111>晶向上优选取向生长的碳化硅晶体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述涂层中，所述<111>晶向占90％或更多。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述涂层具有2μm或更小的晶粒尺寸。
4.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
支承单元，其在所述处理空间内支承基板；
气体供应单元，其向所述处理空间供应工艺气体；以及
等离子源，其激发所述处理空间内的所述工艺气体，
其中，所述支承单元包括：
支承板，所述基板放置在所述支承板上；以及
边缘环，其具有环形形状，所述边缘环围绕所述支承板设置，并且在所述边缘环的上部形成有涂层，所述涂层具有2μm的晶粒尺寸。
5.一种使用等离子体的基板处理装置的组件，所述组件包括：
基部；以及
涂层，其形成在所述基部上，并且具有抗等离子体性，以及
其中，所述涂层具有在β-碳化硅(β-SiC)晶体的<111>晶向上优选取向生长的碳化硅晶体。
6.根据权利要求5所述的组件，其中，具有所述<111>晶向的晶体占所述涂层总晶体的90％或更多。
7.根据权利要求5所述的组件，其中，所述涂层具有2μm或更小的晶粒尺寸。
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