[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统

说明书

本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。

本申请是于2014年3月7日提交的申请号为201410084248.0的名称为“具有嵌入式清洗模块的光刻系统”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明总体涉及半导体技术领域，更具体的，涉及具有嵌入式清洗模块的光刻系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历了快速的发展。IC材料和设计中的技术进步已产生了数代的IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，通常随着几何尺寸(即，使用制造工艺可以制成的最小部件或线)的减小，功能密度(即，每一芯片区域上互连器件的数量)增大。这种按比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本而提供益处。然而，这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在一个与光刻图案化相关的实例中，光刻工艺中使用的光掩模(或掩模)具有限定在其上的电路图案并且将其转印到晶圆。在先进的光刻技术中，利用反射掩模实施远紫外(EUV)光刻工艺。需要清洗反射掩模以使掩模无缺陷。

在光刻工艺领域中，清洗光刻掩模是必要的。不可能在完全无粒子的清洗室和曝光工具中操作或传输掩模。换句话说，主要在传输过程中引起的一定程度的环境纳米级或宏观级粒子可直接粘附在掩模的背面或正面，从而降低了掩模和掩模台的清洁度。从而，由于未清洗掩模而损害了光刻产品的产量。因此，如何以接近零损害的情况下有效地清洗掩模是光刻工艺中的一个重大课题。在一个实例中，现有的清洗工艺可对掩模造成各种损害，或具有高制造成本。在另一实例中，现有的清洗工艺不能有效地去除纳米级粒子。在又一实例中，现有的清洗方法比较复杂且涉及到高成本工具。在又一实例中，在现有的清洗过程期间可能还会引入额外的粒子。在EUV光刻工艺中没有有效的清洗方法和系统。在EUV光刻系统内部不能使用真空技术。

因此，需要解决上述问题的系统和方法。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种光刻系统，包括：曝光模块，配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺；以及清洗模块，集成在所述曝光模块中，并且所述清洗模块被设计成使用吸附机构清洗所述掩模和所述掩模台中的至少一个。

在上述光刻系统中，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构。

在上述光刻系统中，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构；所述清洗结构包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象。

在上述光刻系统中，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构；所述清洗结构包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象；所述载体衬底是具有所述掩模的形状和尺寸的掩模衬底。

在上述光刻系统中，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构；所述清洗结构包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象；所述吸附对象包括具有非极性链和极性化合物的材料。

在上述光刻系统中，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构；所述清洗结构包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象；所述吸附对象包括选自由胶带、多糖、具有-OH键和高化学极性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性剂的天然乳胶组成的组中的粘性材料。