[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统

权利要求书

1.一种光刻系统，包括：

曝光模块，配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺；以及

清洗模块，集成在所述曝光模块中，并且所述清洗模块被设计成使用具有吸附机构的清洗结构清洗所述掩模和所述掩模台中的至少一个；

其中，所述清洗结构中包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象，所述吸附对象包括选自由胶带、多糖、具有-OH键和高化学极性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性剂的天然乳胶组成的组中的粘性材料并且所述吸附对象被设计为其表面轮廓响应于目标对象的具有局部凸块的表面轮廓而变化且基本上与所述目标对象的表面轮廓互补；以及

所述载体衬底是具有所述掩模的形状和尺寸的掩模衬底。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述清洗模块包括：具有所述吸附机构的清洗结构和设计为固定并操作所述清洗结构的操纵机构。

3.根据权利要求1所述的光刻系统，其中，所述清洗模块包括：

吸附对象，设计为清洗所述掩模；以及

掩模操纵部件，设计为将所述吸附对象移动至所述掩模，并且所述掩模操纵部件可操作以对所述吸附对象施加压力。

4.根据权利要求1所述的光刻系统，还包括腔室，所述腔室包括：

掩模库，设计为容纳多个掩模；

掩模操纵器，设计为固定并转移所述多个掩模中的一个；以及

所述清洗模块，配置在所述腔室中。

5.根据权利要求4所述的光刻系统，其中：

所述曝光模块包括远紫外(EUV)光源以在所述光刻曝光工艺期间产生用于曝光半导体晶圆的远紫外光；

所述掩模台是静电夹盘以通过静电力固定所述掩模；以及

所述掩模是反射掩模。

6.根据权利要求5所述的光刻系统，其中：

所述掩模库是可存取的以容纳所述清洗结构，所述清洗结构被设计为清洗所述掩模台；

所述清洗结构具有所述掩模的形状和尺寸；以及

所述掩模台能够固定用于清洗所述掩模台的所述清洗结构。

7.一种光刻系统，包括：

曝光模块，设计为实施光刻曝光工艺，并且所述曝光模块被配置在保持在真空环境中的封闭腔室中；以及

清洗模块，与所述曝光模块集成，其中，所述清洗模块包括具有吸附机构以去除粒子的清洗结构和设计为固定并转移所述清洗结构的操纵机构；

其中，所述清洗结构中包括载体衬底和附接至所述载体衬底的吸附对象，所述吸附对象包括选自由胶带、多糖、具有-OH键和高化学极性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性剂的天然乳胶组成的组中的粘性材料并且所述吸附对象被设计为其表面轮廓响应于目标对象的具有局部凸块的表面轮廓而变化且基本上与所述目标对象的表面轮廓互补；以及

所述载体衬底具有掩模的形状和尺寸。

8.根据权利要求7所述的光刻系统，其中：

所述曝光模块包括远紫外(EUV)光源以产生远紫外光；

掩模台是静电夹盘，从而通过静电力固定掩模；以及

所述掩模是反射掩模。

9.根据权利要求7所述的光刻系统，还包括腔室，所述腔室具有嵌入在其中的所述清洗模块，其中，所述腔室还包括：

掩模库，设计为容纳多个掩模；以及

掩模操纵器，设计为用于掩模转移。