[发明专利]薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板

说明书

本申请实施方式所提供的薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板，包括：提供一基板层，在所述基板层上形成栅极层，采用第一溶液在所述基板层和栅极层上形成绝缘层，采用第二溶液在所述绝缘层上形成沟道层，在所述绝缘层上形成源漏极层，以使得采用溶液法形成绝缘层和沟道层，避免了对高真空设备的使用，从而减少了生产成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板。

背景技术

在现有技术中，采用物理气相沉积、化学气相沉积和原子层沉积等方法在基板上形成薄膜晶体管，但是，这些方法均需要高真空条件，因此，采用这些方法对设备的要求较高，从而导致生产成本高。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板，以降低生产成本。

一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括：

提供一基板层；

在所述基板层上设置一第一金属层，蚀刻所述第一金属层形成栅极层；

在所述基板层和所述栅极层上设置一绝缘层，其中，包括：

提供一第一溶液；

将所述第一溶液涂布于所述基板层和所述栅极层上形成第一溶液层，所述基板层、栅极层和第一溶液层形成第一半成品；以及

对所述第一半成品进行第一次热处理，所述第一溶液层形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上设置一沟道层，其中，包括；

提供一第二溶液；

将所述第二溶液涂布于所述绝缘层上形成第二溶液层，所述基板层、栅极层、绝缘层和第二溶液层形成第二半成品；

对所述第二半成品进行第二次热处理，所述第二溶液层形成一沟道形成层；以及

对所述沟道形成层进行蚀刻形成所述沟道层；以及

在所述沟道层和所述绝缘层上设置一第二金属层，蚀刻所述第二金属层形成源漏极层。

在所述薄膜晶体管基板的制备方法中，在所述提供一第一溶液中，包括：

提供HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末；

将所述HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末溶解于乙二醇甲醚中，形成HfAlO_x溶液。

在所述薄膜晶体管基板的制备方法中，所述HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末的摩尔比为1.5:1-2.5:1。

在所述薄膜晶体管基板的制备方法中，所述HfAlO_x溶液的浓度为0.1mol/L-1.5mol/L。

在所述薄膜晶体管基板的制备方法中，在所述提供一第二溶液中，包括：

提供硝酸铟(In(NO₃)₃)水合物粉末和二水乙酸锌(C₄H₆O₄Zn·2H₂O)粉末；

将所述硝酸铟水合物粉末和二水乙酸锌粉末溶解于乙二醇甲醚中，形成InZnO_x溶液。