[发明专利]薄膜晶体管基板的制备方法及其制备的薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板层；

在所述基板层上设置一第一金属层，蚀刻所述第一金属层形成栅极层；

在所述基板层和所述栅极层上设置一绝缘层，其中，包括：

提供一第一溶液；

将所述第一溶液涂布于所述基板层和所述栅极层上形成第一溶液层，所述基板层、栅极层和第一溶液层形成第一半成品；以及

对所述第一半成品进行第一次热处理，所述第一溶液层形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上设置一沟道层，其中，包括；

提供一第二溶液；

将所述第二溶液涂布于所述绝缘层上形成第二溶液层，所述基板层、栅极层、绝缘层和第二溶液层形成第二半成品；

对所述第二半成品进行第二次热处理，所述第二溶液层形成一沟道形成层；以及

对所述沟道形成层进行蚀刻形成所述沟道层；以及

在所述沟道层和所述绝缘层上设置一第二金属层，蚀刻所述第二金属层形成源漏极层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，在所述提供一第一溶液中，包括：

提供HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末；

将所述HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末溶解于乙二醇甲醚中，形成HfAlO_x溶液。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述HfCl₄粉末和Al(NO₃)₃·9H₂O粉末的摩尔比为1.5:1-2.5:1。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述HfAlO_x溶液的浓度为0.1mol/L-1.5mol/L。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，在所述提供一第二溶液中，包括：

提供硝酸铟(In(NO₃)₃)水合物粉末和二水乙酸锌(C₄H₆O₄Zn·2H₂O)粉末；

将所述硝酸铟水合物粉末和二水乙酸锌粉末溶解于乙二醇甲醚中，形成InZnO_x溶液。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述硝酸铟水合物粉末和二水乙酸锌粉末的摩尔比为0.5:1-2:1。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述InZnO_x溶液的浓度为0.1mol/L-1.5mol/L。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，在所述提供一基板层中，包括：

提供一承载基板；

在所述承载基板上设置一柔性基板层；

在所述柔性基板层上设置一缓冲层；以及

在所述缓冲层上设置一阻挡层。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，在所述沟道层和所述绝缘层上设置一第二金属层，蚀刻所述第二金属层形成源漏极层之后，还包括：

在所述沟道层上设置一保护层。

10.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

一基板层；

一栅极层，所述栅极层设置于所述基板层上，所述栅极层包括若干栅极；

一绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板层，所述绝缘层为HfAlO_x、HfSiO_x和HfSiO_xN_y中的一种或其中几种的组合；

一沟道层，所述沟道层设置于所述绝缘层上，所述沟道层包括若干沟道结构，每一沟道结构位于与其对应的栅极之上，所述沟道层为InZnO_x、HfInZnO_x和InZnO_x/CuO_x中的一种或其中几种的组合；

一源漏极层，所述源漏极层设置于所述绝缘层上，所述源漏极层包括若干源极和漏极，每一源极设置在其所对应的沟道结构的一侧，每一漏极设置在其所对应的沟道结构的另一侧。