[发明专利]差分电路和模拟集成电路有效
| 申请号: | 201811220260.4 | 申请日: | 2018-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN111081701B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 王聪;张永光;殷慧萍;谢育桦;张亮;王静;徐以军;彭新朝;冯玉明;黄穗彪 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄晓庆;李双皓 |
| 地址: | 519000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 模拟 集成电路 | ||
1.一种差分电路,其特征在于,包括第一差分管、第二差分管、第一负载管、第二负载管和dummy管,所述第一差分管的分管和所述第二差分管的分管设置于所述dummy管的分管之间,且所述第一差分管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度等于所述第二差分管的对应分管到所述dummy管的分管的有源区长度;所述第一负载管的分管和所述第二负载管的分管设置于所述dummy管的分管之间,且所述第一负载管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度等于所述第二负载管的对应分管到所述dummy管的分管的有源区长度。
2.根据权利要求1所述的差分电路,其特征在于,所述第一差分管的分管和所述第二差分管的分管的数量均为4个或4个以上。
3.根据权利要求2所述的差分电路,其特征在于,所述差分电路包括第一差分管电路层和第二差分管电路层,所述第一差分管电路层和所述第二差分管电路层均包括所述第一差分管的分管、所述第二差分管的分管和所述dummy管的分管;
所述第一差分管电路层中的第一差分管的分管和所述第二差分管的分管依次相间设置于所述dummy管的分管之间,且各第一差分管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度与对应一所述第二差分管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度相等;
所述第二差分管电路层中的所述dummy管的分管与所述第一差分管电路层中的所述dummy管的分管对应设置,所述第二差分管电路层中第一差分管的分管与所述第一差分管电路层中的第二差分管的分管对应设置,所述第二差分管电路层中第二差分管的分管与所述第一差分管电路层中的第一差分管的分管对应设置。
4.根据权利要求1所述的差分电路,其特征在于,所述第一负载管的分管和所述第二负载管的分管的数量均为4个或4个以上。
5.根据权利要求4所述的差分电路,其特征在于,所述差分电路包括第一负载管电路层和第二负载管电路层,所述第一负载管电路层和所述第二负载管电路层均包括所述第一负载管的分管、所述第二负载管的分管和所述dummy管的分管;
所述第一负载管电路层中的第一负载管的分管和所述第二负载管的分管依次相间设置于所述dummy管的分管之间,且各第一负载管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度与对应一所述第二负载管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度相等;
所述第二负载管电路层中的所述dummy管的分管与所述第一负载管电路层中的所述dummy管的分管对应设置,所述第二负载管电路层中第一负载管的分管与所述第一负载管电路层中的第二负载管的分管对应设置,所述第二负载管电路层中第二差分管的分管与所述第一负载管电路层中的第一差分管的分管对应设置。
6.根据权利要求1所述的差分电路,其特征在于,所述第一差分管的分管和所述第二差分管的分管的数量均小于4个。
7.根据权利要求6所述的差分电路,其特征在于,所述差分电路包括差分管电路层,所述差分管电路层包括所述第一差分管的分管、所述第二差分管的分管和所述dummy管的分管;
所述差分管电路层中的第一差分管的分管和所述第二差分管的分管依次相间设置于所述dummy管的分管之间,且各第一差分管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度与对应一所述第二差分管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度相等。
8.根据权利要求1所述的差分电路,其特征在于,所述第一负载管的分管和所述第二负载管的分管的数量均小于4个。
9.根据权利要求8所述的差分电路,其特征在于,所述差分电路包括负载管电路层,所述负载管电路层均包括所述第一负载管的分管、所述第二负载管的分管和所述dummy管的分管;
所述负载管电路层中的第一负载管的分管和所述第二负载管的分管依次相间设置于所述dummy管的分管之间,且各第一负载管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度与对应一所述第二负载管的分管到所述dummy管的分管的有源区长度相等。
10.一种模拟集成电路,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的差分电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





