[发明专利]半导体结构和用于形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，具有顶面；

器件层，位于所述衬底的顶面上方，

第一器件和第二器件，沿第一方向间隔开地分别形成在所述衬底的顶面上的所述器件层的第一部分和第二部分上，所述第一器件和第二器件均为RF电路和器件；以及

浅沟槽隔离区域，在所述器件层的所述第一部分和所述第二部分之间，并且分别接触所述第一部分的侧壁和第二部分的侧壁，

彼此横向间隔开的第一多个深隔离结构，所述第一多个深隔离结构形成在所述衬底中以及所述第一器件和所述第二器件之间、并且在截面中垂直穿过并接触所述浅沟槽隔离区域，其中所述截面为穿过所述浅沟槽隔离区域且垂直于所述第一方向所截取的截面，其中，所述第一多个深隔离结构的每一个深隔离结构包括：

顶部部分，形成在所述顶面处并且具有顶部宽度；

底面，具有大于所述顶部宽度的底部宽度，和

气穴，从所述衬底中开始连续的延伸，直至所述气穴的顶端超过所述浅沟槽隔离区域的底面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部宽度在所述衬底的顶面处测量。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底包括绝缘体上硅(SOI)衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一多个深隔离结构包括侧壁，其中所述第一多个深隔离结构的所述侧壁和所述衬底的顶面之间的第一角度大于90°。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一多个深隔离结构的所述侧壁和所述第一多个深隔离结构的所述底面之间的第二角度小于90°。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部宽度和所述底部宽度之间的比率介于0.6和0.95之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一多个深隔离结构还包括介电材料结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述气穴在所述深隔离结构的深度的70％处测量的宽度为第一宽度，并且所述气穴在所述深隔离结构的深度的20％处测量的宽度为第二宽度，并且所述第一宽度与所述第二宽度之间的比率在5％至30％的范围内。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述气穴的体积介于所述第一多个深隔离结构的总体积的30％和80％之间。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述气穴包括与所述深隔离结构的底面具有相同轮廓的另一底面。

11.一种半导体结构，包括：

衬底；

第一介电层，形成在所述衬底上；

浅沟槽隔离区域，形成在所述第一介电层上，所述浅沟槽隔离区域包括顶面和底面；

器件层，形成在所述第一介电层上并与所述浅沟槽隔离区域齐平；

第一半导体器件和第二半导体器件，分别形成在所述器件层的第一分部和第二分部上，所述浅沟槽隔离区域分别直接接触所述第一分部的侧壁和所述第二分部的侧壁，所述第一半导体器件和第二半导体器件均为RF电路和器件；以及

第一多个隔离结构，形成在所述衬底和所述第一介电层和所述浅沟槽隔离区域中，所述第一多个隔离结构在截面中垂直穿过并接触所述浅沟槽隔离区域，其中，每个隔离结构均包括：

顶部宽度，在所述浅沟槽隔离区域的所述顶面处测量；和

底部宽度，在所述隔离结构的底面处测量，其中，所述顶部宽度小于所述底部宽度，

气穴，从所述衬底中开始连续延伸穿过所述第一介电层和所述浅沟槽隔离区域的所述底面。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，每个所述隔离结构还包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括具有第一介电常数的第一材料并且所述第二部分包括具有第二介电常数的第二材料。